[发明专利]一种光电处理器有效
申请号: | 201610039778.2 | 申请日: | 2016-01-20 |
公开(公告)号: | CN106992192B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 李润伟;檀洪伟;刘钢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/108 |
代理公司: | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人: | 赵兴华 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 处理器 | ||
1.利用光电处理器实现逻辑“与门”处理与存储器的方法,其特征是:所述光电处理器具有如下结构:
所述结构包括底电极、顶电极以及位于底电极与顶电极之间的介质层;
底电极、顶电极中至少一个电极是透明的;
底电极、顶电极中至少一个电极与介质层的界面接触为肖特基接触;
所述结构具有光致电阻转变效应;
所述结构具有电致电阻转变效应;
设不输入光信号、不输入电信号的状态为初始状态,所述光电处理器在初始状态下的电阻为初始高电阻;
所述光致电阻转变效应如下:
在初始状态下,对所述光电处理器依次输入光信号、撤销光信号、输入电信号,变化如下:
(1)当输入光信号时,该光电处理器电阻降低,从初始高电阻降低至第一低电阻;
(2)撤销光信号后,所述光电处理器电阻保持在第一低电阻,即电阻状态转变为非易失性转变;
(3)对所述光电处理器输入反向电信号,该光电处理器电阻可恢复至初始高电阻;
在光刺激状态下,对所述光电处理器输入光信号,该光电处理器电阻降低,从光刺激低电阻降低至第二低电阻,并且所述第二低电阻小于第一低电阻;
所述电致电阻转变效应如下:
在初始状态下,对所述光电处理器依次输入正向电信号、反向电信号,变化如下:
(1)当输入正向电信号时,该光电处理器电阻降低,从初始高电阻降低至第三低电阻;
(2)当输入反向电信号时,该光电处理器电阻可恢复至初始高电阻;
在光刺激状态下,对所述光电处理器输入正向电信号,该光电处理器电阻降低,从光刺激低电阻降低至第四低电阻,所述第四低电阻小于第三低电阻;
所述方法如下:
将光信号、电信号作为两个独立的输入端施加在所述光电处理器,所述光电处理器的电阻为输出信号;
在光信号输入端,对所述光电处理器施加光信号时记录为逻辑输入“1”,不施加光信号时记录为逻辑入“0”;
在电信号输入端,对所述光电处理器施加电信号时记录为逻辑输入“1”,对所述光电处理器不施加电信号时记录为逻辑输入“0”;
当所述光电处理器的电阻值小于第一低电阻并且小于第三低电阻时记录为逻辑“1”,反之记录为逻辑“0”;
在初始状态下,所述光电处理器是逻辑“与门”处理与存储器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的