[发明专利]一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种Sb₂Te₃热电材料薄膜湿法刻蚀方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb₂Te₃热电材料薄膜；

b)利用激光器对所述的Sb₂Te₃热电材料薄膜进行直写式曝光热作用；

c)采用刻蚀液对激光曝光热作用后的Sb₂Te₃热电材料薄膜进行湿法刻蚀，将经过激光热作用的区域腐蚀去除，留下激光未作用的区域。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于所述的步骤c)湿法刻蚀的具体步骤如下：

将所述的Sb₂Te₃热电材料薄膜置于刻蚀液中，依据薄膜所需刻蚀深度选择刻蚀时间，当刻蚀深度为0-50nm,所需刻蚀时间为0-3h，对于激光曝光热作用区域，当刻蚀时间超过1h后，刻蚀速率为6nm/h,对于激光未曝光热作用区域，刻蚀速率为0.2nm/h，两者的选择刻蚀比为30。

3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法,其特征在于所述的步骤c)中刻蚀液为氢氧化钠溶液，摩尔浓度为0.1mol/L。