[发明专利]一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体地，涉及一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置，尤其涉及一种电源独立、低压高PSRR(Power Supply Rejection Ratio，电源抑制比)的CMOS基准电压源电路(即参考电压产生电路)和具有其的集成电路装置。

背景技术

混合集成电路是将一个电路中所有元件的功能集中在一个基片上，装配空隙和焊点少。混合集成电路在手提式装置(例如：智能手机、手提电脑和平板电脑等)方面的广泛应用，需要集成电路能够在刚好超过MOS管的门槛电压工作，一个核心的设计部分就是参考电压能够在1V低电压的条件下工作，同时能够对供应电压的变化有很强的抗干扰性。

如图1所示的电路中，门槛参考电压设计已不再适合低电压设计，因为此电路设计要求两个Vgs(即MOS管栅极和源极间之间的电压)的电压降，并且对于供应电压的变化也缺乏足够的抵抗性。

如图2所示的电路中，门槛参考电压设计已经克服了图1所示电路中要求两个Vgs的电压降，只需一个Vgs，但此电路没有合适的开启电路，并且对电源的变化，也没有表现特别高的抵抗性。如图2所示，当电源供应开始时，NMOS管(N₁和N₂)和PMOS管(P₁、P₂ and P₃)门电压，没有明确的开启顺序，不适合真正的工业应用。

现有技术中，存在功能少、抗干扰性差和适用范围小等缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述缺陷，提出一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置，以提高基准电压源的抗干扰性。

本发明一方面提供一种CMOS基准电压源电路，包括：直流电源、启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路，其中，所述直流电源，分别连接于所述启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路；所述启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路依次连接、且电源抑制比逐级增大；所述启动电路，被配置为当所述直流电源接通时正常启动，并对产生的电流进行一次整流处理，得到启动电流；所述启动电流获取电路，被配置为获取所述启动电流并进行二次整流处理，得到基准电流；所述基准电压产生电路，被配置为获取所述基准电流并进行三次整流处理后，获取所需基准电压。

优选地，所述启动电路，包括：相连的启动模块和第一整流模块。

优选地，所述启动电流获取电路，包括：相连的第一开关模块和第二整流模块。

优选地，所述基准电压产生电路，包括：相连的第二开关模块和第三整流模块。

优选地，所述第一整流模块、第二整流模块和第三整流模块的结构相同、且电源抑制比逐级增大。

优选地，所述第一整流模块，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一上拉电阻；其中，所述第一PMOS管的栅极，分别与第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、以及第二NMOS管的漏极连接；第一PMOS管的源极，分别与直流电源、启动模块的第一连接端、以及第二PMOS管的源极连接；第一PMOS管的漏极，分别与第一上拉电阻的第一连接端、以及第一NMOS管的栅极连接；所述第一NMOS管的漏极，分别与启动模块的第二连接端、以及第二NMOS管的栅极连接；所述第一上拉电阻的第二连接端、第一NMOS管的源极、以及第二NMOS管的源极均接地。

优选地，所述启动模块，包括：启动电阻，所述启动电阻的阻值小于第一上拉电阻的阻值。

优选地，所述第一开关模块，包括：第一PMOS开关管；其中，所述第一PMOS开关管的栅极，连接于前一级整流模块中两个PMOS管的栅极；第一PMOS开关管的源极，连接于直流电源；第一PMOS开关管的漏极，分别连接于本级整流模块中第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极；所述第一开关模块和所述第二开关模块的结构相同。

优选地，所述直流电源(V_DD)为1V直流电源。

与上述CMOS基准电压源电路相匹配，本发明另一方面提供一种集成电路装置，包括：以上所述的CMOS基准电压源电路。

本发明的方案，通过启动电路使CMOS基准电压源电路能在各种条件下的正常启动，通过获取正常启动后的启动电流并进行整流，从而获得稳定的不受电源供应影响的基准电压(即参考电压V_B3)。