[发明专利]电压调节电路及其输出调节电压生成方法、集成电路

说明书

本发明提供了一种电压调节电路及其输出调节电压生成方法、集成电路，该方法包括：调整驱动管电路，包括多个驱动单元、以及采样点，驱动单元输出调节电压，采样点对驱动单元的输出调节电压进行采样；输出调节电压修正电路，与采样点连接，通过采样点对至少两个驱动单元的输出调节电压进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。通过本发明的实施，通过对LDO输出电压值的整理与校正之后，输出电压值从统计上平均来看，更趋近于实际要求的输出电压值，解决了现有LDO与SRAM Memory cell相连的单元节点处的输出平均电压与目标输出调节电压差异过大的技术问题。

技术领域

本发明涉及现场可编程阵列器件领域，尤其涉及一种LDO(low-drop output，电压调节电路)及其输出调节电压生成方法、集成电路。

背景技术

SRAM(静态随机存储器)是RAM(随机存储器)的一种，主要用于配置存储单元数据位，在消费类电子里使用很多；在SRAM电路里的存储单元(memory cell)，以阵列方式分布，具有独立的地址线以及数据线；随着工艺尺寸的进一步降低，SRAM单元的密度越来越高，对于SRAM单元的电源也越来越敏感；SRAM单元的电源变化，直接影响SRAM单元后续模块的timing要求的margin。因此，在SRAM LDO设计中，一个随PVT(工艺，电源电压，温度)变化相对较小的LDO，在VLSI(超大规模集成电路)设计中，已经成为极为关键一步。

目前在SRAM LDO设计中，SRAM LDO架构主要包括运算放大器电路与调整驱动管(regulator drive ring MOSFET)电路两部分；由于SRAM Memory cell单元数量多，因此，SRAM LDO需要提供非常大的Drive ring，以保证对于SRAM Memory cell单元能均匀驱动,而Driver ring的布局布线及寄生的电阻电容将影响SRAM LDO输出电压调节值的一致性：由不合理的布局布线以及版图寄生电阻导致的Driver ring与Memory cell单元相连的单元节点处的输出值差异，而PVT以及器件失配引起的SRAM LDO实际输出与理想的LDO输出电压存在差异，将导致一致性恶化。

因此，本领域技术人员亟待提供一种LDO，以解决现有LDO与SRAM Memory cell相连的单元节点处的输出平均电压与目标输出调节电压差异过大的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种LDO及其输出调节电压生成方法、集成电路，以降低现有LDO与SRAM Memory cell相连的单元节点处的输出值差异。

本发明提供了一种电压调节电路，其包括：

调整驱动管电路，包括多个驱动单元、及采样点，驱动单元用于输出调节电压，采样点用于对驱动单元的输出调节电压进行采样；

输出调节电压修正电路，与采样点连接，用于通过采样点对至少两个驱动单元的输出调节电压进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。

进一步的，还包括采样点设置装置，用于根据目标电路的网格化布局，在调整驱动管电路输出电压的不同位置设置采样点。

进一步的，采样点设置装置具体用于根据目标电路的网格化布局，以行和/或列为单位划分单元，根据划分得到的子单元，在调整驱动管电路上选择关键节点，将关键节点作为采样点。

进一步的，输出调节电压修正电路具体用于将采样得到的至少两个输出调节电压进行平均值计算，生成反馈电压。

进一步的，还包括修正模块，用于当电压调节电路的工艺、电源电压、温度变化时，根据与不同的电阻反馈网络的反馈比例对应的输出调节电压与标准输出调节电压的差值属性，修正电阻反馈网络的反馈比例。