[发明专利]密封环及具有密封环的半导体结构

权利要求书

1.一种具有密封环的半导体结构，其特征在于，包括：

密封环，所述密封环包括：衬底，所述衬底包括环形的第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区，所述第二重掺杂区和第三重掺杂区分别位于所述第一重掺杂区两侧，且与所述第一重掺杂区毗邻，其中，第一重掺杂区为第一类型掺杂，第二重掺杂区和第三重掺杂区为第二类型掺杂；分别位于所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区上的独立的三个金属互连结构，所述金属互连结构为多层堆叠的环形结构，包括接触通孔和金属互连线，各层金属互连线之间通过接触通孔电连接；所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区分别通过所述接触通孔与金属互连线连接，第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区构成的两个PN结均处于反偏；

被所述密封环包围的芯片；

位于密封环外侧的划片槽。

2.根据权利要求1所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述第一类型重掺杂区为P型掺杂，第二重掺杂区和第三重掺杂区为N型掺杂；或者所述第一类型重掺杂区为N型掺杂，第二重掺杂区和第三重掺杂区为P型掺杂。

3.根据权利要求2所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述第一重掺杂区的掺杂浓度为1E14atom/mm2～1E15atom/mm2，所述第二重掺杂区和第三重掺杂区的掺杂浓度为1E14atom/mm2～1E15atom/mm2。

4.根据权利要求1所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述第二重掺杂区、第一重掺杂区和第三重掺杂区的宽度比例为30:888:30～459:30:459。

5.根据权利要求1所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，相邻金属互连结构中，位于同一层内的金属互连线之间的间距为1μm～2μm。

6.根据权利要求1所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区表面形成有金属硅物层。

7.根据权利要求2所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，若第二重掺杂区和第三重掺杂区为N型掺杂，所述第二重掺杂区和第三重掺杂区表面的金属互连结构与电源电压电连接；若所述第一类型重掺杂区为N型掺杂，所述第一重掺杂区表面的金属互连结构与电源电压电连接。

8.根据权利要求7所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述金属互连结构通过顶层的金属互连线与电源电压电连接。

9.根据权利要求1所述的具有密封环的半导体结构，其特征在于，所述密封环与芯片之间的距离为3μm～5μm。