[发明专利]一种SOC估值方法及其系统在审
申请号: | 201610042124.5 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105487016A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 关海盈;孔满;尹旭勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市沃特玛电池有限公司 |
主分类号: | G01R31/36 | 分类号: | G01R31/36 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 陈健 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 soc 方法 及其 系统 | ||
技术领域
本发明涉及电池领域,尤其涉及一种SOC估值方法及其系统。
背景技术
电池的剩余电量(StateofCharge,SOC)在某一层面直接反应电动汽车的 续航里程,是电池管理系统中比较重要的一个模块,因此对于电池SOC的准确 估计就显得很重要。
目前,电池的剩余电量估计方法主要分为两大类:直接法与间接法。直接 法是指通过实验设备直接测量当前电池剩余容量;间接法主要通过电池内部的 物化特性,在估计过程中需要高精度的设备因此在实际中很难实现。安时积分 法(Ahintegrationmethod,简称Ah法)、开路电压法(Open-circuitvoltagemethod, 简称OCV法)、内阻法(Resistancemethod)等属于间接法。
但是,安时积分法在计算过程中会产生累积误差,导致计算得到的SOC随 充放电时间增加误差增大,同时安时积分法计算SOC初始值的准确性很难确 定;开路电压法需要长时间的静置达到电池内部电压稳定,在实际汽车运行过 程中难以实现;内阻法存在着估算内阻的困难,在硬件上也难以实现。此外, 还可通过人工神经网络算法(ArtificialNeuralNetworkAlgorithm)、卡尔曼滤波 算法(Kalmanfilteralgorithm,简称KF)等间接法进行估算电池SOC,但神经 网络算法由于其系统设置困难,且在电池管理系统中应用成本高,不具备优势; 而卡尔曼滤波算法在计算SOC的过程中会出现跳变现象并且不能保存,此算法 不能保证SOC的准确性和稳定性。
因此,亟需设计一种SOC估值方法,以提高SOC的准确性和稳定性。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种SOC估值方法及其系统,旨在解决 现有技术中SOC的准确性不高和稳定性较低的问题。
本发明提出一种SOC估值方法,包括:
利用卡尔曼滤波算法计算SOC初始值;
将所述SOC初始值赋值作为安时积分算法计算SOC值,并保存所述SOC 值,同时利用卡尔曼滤波算法计算SOC值;
判断由上述两种算法计算得到的SOC值是否在预设误差值内;
如果在预设误差值内,则输出由安时积分算法计算得到的SOC值。
优选的,所述预设误差值为±2.5%,通过EEPROM保存在经过初始值赋 值后由安时积分算法计算得到的SOC值。
优选的,所述方法还包括:
如果不在预计误差值内,则继续将所述SOC初始值赋值作为安时积分算法 计算SOC值,并保存所述SOC值,同时利用卡尔曼滤波算法计算SOC值;
继续判断由上述两种算法计算得到的SOC值是否在预设误差值内;
如果在预设误差值内,则输出由安时积分算法计算得到的SOC值。
另一方面,本发明还提供一种SOC估值系统,包括:
初值模块,用于利用卡尔曼滤波算法计算SOC初始值;
赋值模块,用于将所述SOC初始值赋值作为安时积分算法计算SOC值, 并保存所述SOC值,同时利用卡尔曼滤波算法计算SOC值;
判断模块,用于判断由上述两种算法计算得到的SOC值是否在预设误差值 内;
输出模块,用于如果在预设误差值内,则输出由安时积分算法计算得到的 SOC值。
优选的,所述预设误差值为±2.5%,通过EEPROM保存在经过初始值赋 值后由安时积分算法计算得到的SOC值。
优选的,所述SOC估值系统还包括:
循环模块,用于如果不在预计误差值内,则继续将所述SOC初始值赋值作 为安时积分算法计算SOC值,并保存所述SOC值,同时利用卡尔曼滤波算法 计算SOC值;继续判断由上述两种算法计算得到的SOC值是否在预设误差值 内;如果在预设误差值内,则输出由安时积分算法计算得到的SOC值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市沃特玛电池有限公司,未经深圳市沃特玛电池有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610042124.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:通孔半导体外延薄膜贴片式封装
- 下一篇:镀膜工艺中用于放置薄片的装置