[发明专利]RRAM装置与其形成方法

权利要求书

1.一种RRAM装置，其特征在于，包括：

一底电极，位于一氧化物层中；

多个介电凸块，位于该氧化物层上，且该底电极位于相邻的两个介电凸块之间，其中该些介电凸块的底面高于该些底电极的底面；

一电阻转态层，顺应性地位于该介电凸块、该氧化物层、与该底电极上；

一导电储氧层，位于该电阻转态层上；以及

一氧扩散阻障层，位于该导电储氧层上，其中该导电储氧层与该些介电凸块之间隔有部分该氧扩散阻障层。

2.如权利要求1所述的RRAM装置，其特征在于，该些介电凸块相连成格状。

3.如权利要求1所述的RRAM装置，其特征在于，该介电凸块的组成为氧化铝或氮化硅。

4.如权利要求1所述的RRAM装置，其特征在于，更包括另一氧扩散阻障层位于该电阻转态层与该导电储氧层之间。

5.如权利要求1所述的RRAM装置，其特征在于，该介电凸块截断该导电储氧层。

6.一种RRAM装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成一底电极于一氧化物层中；

形成多个介电凸块于该氧化物层上，且该底电极位于相邻的两个介电凸块之间，其中该些介电凸块的底面高于该些底电极的底面；

顺应性地形成一电阻转态层于该介电凸块、该氧化物层、与该底电极上；

形成一导电储氧层于该电阻转态层上；以及

形成一氧扩散阻障层于该导电储氧层上，其中该导电储氧层与该些介电凸块至少之一之间隔有部分该氧扩散阻障层。

7.如权利要求6所述的RRAM装置的形成方法，其特征在于，形成该导电储氧层的步骤包括：

顺应性地形成该导电储氧层于该电阻转态层上；

移除该些介电凸块之间的部分该导电储氧层。

8.如权利要求6所述的RRAM装置的形成方法，其特征在于，形成该导电储氧层的步骤包括：

顺应性地形成该导电储氧层于该电阻转态层上；

顺应性地形成另一氧扩散阻障层于该导电储氧层上；

进行一平坦化工艺，移除超出该电阻转态层顶部的部份该导电储氧层与超出该电阻转态层顶部的部份该另一氧扩散阻障层；

移除该些介电凸块之间的部分该导电储氧层。

9.如权利要求8所述的RRAM装置的形成方法，其特征在于，移除该些介电凸块之间的部分该导电储氧层的步骤包括：

移除保留的另一氧扩散阻障层未覆盖的导电储氧层。

10.如权利要求8所述的RRAM装置的形成方法，其特征在于，移除该些介电凸块之间的部分该导电储氧层的步骤包括：

移除部份该导电储氧层与部份该另一氧扩散阻障层，且保留的部份该导电储氧层与相邻的两个介电凸块中的一者紧邻，并与相邻的两个介电凸块中的另一者相隔一段距离。