[发明专利]非掺杂白光有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及光电技术领域，特别是涉及非掺杂白光有机电致发光器件。

背景技术

白光OLED(OrganicLightEmittingDiode)亦称白光有机电致发光器件 (organicelectroluminescencedevices，OELDs)，属于平面发光器件，具备超薄、 形状选择度大、适合作为大面积发光光源、无需散热、加工简单等优点，被认 为是下一代理想的照明光源。同时，白光OLED还可以替代普通LED光源，作 为现代主流液晶显示器的背光源，实现超薄液晶显示，还可以结合彩色滤光膜 实现彩色OLED显示，并且白光OLED还可以制备成柔性器件，更好的服务于 人类生活。因此白光OLED受到越来越多学术界和工业界的关注。

显色指数(colorrenderingindex，CRI)则是指光源对物体的显色能力，也就 是颜色逼真的程度。白炽灯和太阳光的CRI被定义为100，为理想的标准光源。 2002年，美国普林斯顿大学的D’Andrade等人首次报道了WOLED的CRI这一 性能参数，并且通过优化器件结构得到的CRI可以高达83。尽管对于全彩OLED 显示而言，CRI不是一个关键性的参数，但是其对照明光源而言是至关重要的。

为了满足普通的照明需求，光源的CRI必须大于80。为了得到某些特殊用途， 则需要光源的CRI大于90，而目前CRI>90的OLED器件，几乎全部采用掺杂技术 完成。如现有技术公开一种暖白色OLED器件，由主体材料DTCPFB和OXD-7， 客体材料FIrpic、Ir(bt)₂(acac)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(MPCPPZ)₃构成；其制备方法是 通过合称上述主客体材料而综合运用的溶液加工法，采用四基色掺杂的方式制 备了CRI达到80以上的OLED；另一现有技术将两个白光发光单元进行组合，利 用5种发光材料获得了超高CRI为98的OLED。

虽然陆续的有了CRI>90的OLED报道，但是其数量依然屈指可数。此外，这 些器件几乎都是采用掺杂技术制备，这无疑使器件的结构复杂化，制备工艺要 求大大提高。并且，由于掺杂技术中对客体的浓度控制严格且精确化，所报道 的具有CRI>90的OLED的重复性将会受到大大的影响。

发明内容

基于此，有必要提供一种CRI>90，发光效率高，且结构简单，制作重复性 好的非掺杂白光有机电致发光器件。

一种非掺杂白光有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、空穴注 入层、空穴传输层、有机功能层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述有机 功能层包括依次层叠的蓝光层和红光层，所述蓝光层包括至少一层非掺杂蓝色 荧光层，所述红光层包括至少一层非掺杂红色磷光层，所述蓝光层层叠于所述 空穴传输层之上，所述蓝光层和红光层之间设置有非掺杂间隔层，

所述非掺杂间隔层为电子型材料层，且所述非掺杂间隔层的三线态能级高 于所述非掺杂蓝色荧光层和非掺杂红色磷光层的三线态能级。

本发明所述电子型材料是指电子迁移率大于本身空穴迁移率的材料。

本发明所述非掺杂白光有机电致发光器件，采用通过非掺杂间隔层间隔开 的非掺杂蓝色荧光层和非掺杂红色磷光层的层叠结构，且保证所述非掺杂间隔 层的三线态能级需高于发光材料的三线态能级，以防激子会被淬灭。该结构能 有效保证蓝光的出射，从而得到白光，并且该非掺杂间隔层具有阻止浓度淬灭 的功能，保证器件的高效率，还能有效对发光层之间能量转移进行抑制，使得 器件的单线态激子和三线态激子更好的分离。此外，该非掺杂间隔层也可以起 到调节色温的作用。

由此，采用上述结构的器件，在保证具有CRI>90，发光效率高的特性的同 时，简化了器件结构，通过非掺杂技术即能够完成器件制作，非常有效的简化 了器件的制作工艺，提高制作重复性和生产效率，并降低生产成本，利于器件 的商业化。

在其中一个实施例中，所述非掺杂蓝色荧光层的三线态能级大于等于所述 非掺杂红色磷光层的三线态能级。由此，未被蓝光层利用的三线态激子也能通 过扩散机理传输到红光层中，可以进一步的俘获激子，增加器件的效率。

在其中一个实施例中，所述非掺杂蓝色荧光层的三线态能级大于等于 2.0eV；所述非掺杂红色磷光层的三线态能级小于等于2.0eV。