[发明专利]一种驱动薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种驱动薄膜晶体管，包括：

缓冲层(2)，设置在基板(1)上；

半导体层(3)，设置在所述驱动薄膜晶体管区域中的缓冲层(2)上；

栅极绝缘层(4)，设置在所述缓冲层(2)上，覆盖所述半导体层(3)；

栅极(5)，设置在所述栅极绝缘层(4)上；其特征在于，

所述半导体层(3)上包括载流子传输通道(7)，所述的载流子传输通道(7)中设有载流子传输阻碍结构；

所述载流子传输通道(7)中设置有若干微孔(6)，所述微孔(6)能够阻碍载流子的传输；

所述微孔(6)的中心线垂直于所述半导体层(3)；

所述微孔(6)的高度小于等于所述半导体层(3)的厚度。

2.根据权利要求1所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子传输通道(7)具有不规则侧壁结构，所述的不规则侧壁结构能够阻碍载流子的传输。

3.根据权利要求2所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子传输通道不规则侧壁结构的横截面为锯齿状。

4.根据权利要求2所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子传输通道不规则侧壁结构的横截面为若干弧状结构顺次连接而成。

5.一种驱动薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在所述基板(1)上依次形成缓冲层(2)，非晶硅层，再进行结晶处理，形成半导体层(3)；在图案化半导体层(3)上形成具有载流子传输阻碍结构的载流子传输通道(7)；其中，所述载流子传输通道(7)中设置有若干微孔(6)，所述微孔(6)能够阻碍载流子的传输；所述微孔(6)的中心线垂直于所述半导体层(3)；所述微孔(6)的高度小于等于所述半导体层(3)的厚度；

S2、在所述缓冲层(2)上形成覆盖所述半导体层(3)的栅极绝缘层(4)在所述栅极绝缘层(4)上依次形成栅极(5)，层间绝缘层和源漏极。