[发明专利]存储器以及位线驱动电路

权利要求书

1.一种位线驱动电路，其特征在于，包括：

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极连接第一电源端；

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极连接第一输入端，源极连接所述第一NMOS晶体管的源极，漏极连接一第一节点；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述第一输入端，源极连接第二电源端，漏极连接所述第一节点；

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极连接第三电源端，漏极连接位线，源极连接所述第一节点；

第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二输入端，源极连接所述第二电源端，漏极连接所述位线。

2.如权利要求1所述的位线驱动电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极电压为所述第一电源端的电压与所述第一NMOS晶体管的阈值电压的差值。

3.如权利要求1所述的位线驱动电路，其特征在于，当所述第一节点为低电平，所述第二PMOS晶体管关闭，且所述位线的电压高于所述第三电源端的电压与所述第二PMOS晶体管的阈值电压之和时，所述第二PMOS晶体管打开。

4.一种存储器，其特征在于，包括存储阵列、与所述存储阵列连接的多条位线、多条字线、多条控制栅极线以及如权利要求1-3中任意一项所述的位线驱动电路，所述存储阵列中包括阵列分布的若干存储单元，选中所述位线、所述字线以及所述控制栅极线以对所述存储单元进行操作，所述位线采用所述位线驱动电路进行驱动。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，对所述存储单元进行编程操作时，所述第一电源端为编程高压，所述第三电源端为工作电压。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一输入端为低电平，以选中所述位线，所述第一NMOS晶体管、所述第一PMOS晶体管以及所述第二PMOS晶体管打开，所述第二NMOS晶体管关闭，该位线的电压为所述第一电源端的电压与所述第一NMOS晶体管的阈值电压的差值。

7.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一输入端为编程高压，以不选中所述位线，所述第一NMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管打开，所述第一PMOS晶体管关闭，当该位线的电压高于所述第三电源端的电压与所述第二PMOS晶体管的阈值电压之和时，所述第二PMOS晶体管打开。

8.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述位线驱动电路还包括第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二输入端，源极连接所述第二电源端，漏极连接所述位线。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，对所述存储单元进行擦除操作时，所述第一电源端为编程高压，所述第三电源端为工作电压，所述第一输入端为编程高压，所述第二输入端为工作电压，所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管关闭，所述第三NMOS晶体管打开，所述位线均为低电平。

10.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，对所述存储单元进行读取操作时，所述第一电源端为工作电压，所述第三电源端为工作电压，所述第一输入端为工作电压，所述第二PMOS晶体管关闭，所述位线的电压均由其他电路决定。

11.如权利要求5～10中任意一项中所述的存储器，其特征在于，所述第二电源端为接地端。

12.如权利要求5～7、9中任意一项中所述的存储器，其特征在于，所述编程高压为15V～17V的电压，所述工作电压为1V～3V的电压。