[发明专利]光检测装置有效
申请号: | 201610044557.4 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN105633192B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;G01T1/24;H01L27/144;H01L31/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
1.一种半导体光检测元件,其特征在于,
是具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板的半导体光检测元件,
所述半导体光检测元件包含:
以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管;
相对于对应的所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻;
电连接有所述多个灭弧电阻的第一电极;及
电连接于所述第一电极且自所述第一主面侧至所述第二主面侧为止贯通所述半导体基板而形成的贯通电极,
所述多个灭弧电阻经由一个所述第一电极而与一个所述贯通电极电连接,所述多个雪崩光电二极管以分别与所述灭弧电阻串联连接的形式,互相并联连接并电连接于一个所述贯通电极,
所述半导体光检测元件具备与所述半导体光检测元件相对配置并且具有与所述半导体基板的所述第一主面相对的主面的玻璃基板。
2.如权利要求1所述的半导体光检测元件,其特征在于,
各所述雪崩光电二极管具有:
第一导电型的所述半导体基板;
第二导电型的第一半导体区域,其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧;
第二导电型的第二半导体区域,其形成在所述第一半导体区域内且杂质浓度比所述第一半导体区域高;以及
第四电极,其配置在所述半导体基板的所述第一主面侧且将所述第二半导体区域与所述灭弧电阻电连接,
各所述第四电极经由对应的所述灭弧电阻而电连接于所述第一电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610044557.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池组件生产工艺
- 下一篇:环保太阳能组件、太阳能发电系统及光伏电站
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的