[发明专利]一种两级差动低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201610044631.2 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN105720928B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 李振荣;庄奕琪;郝张伟;张超越 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/45;H03F3/26
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 两级 差动 低噪声放大器
【权利要求书】:

1.一种两级差动低噪声放大器,其特征在于:包括通过耦合电容级联的第一级差动放大器和第二级差动放大器、以及用于输出匹配的缓冲器;其中:

所述的第一级差动放大器包括使用电阻负反馈的第一CS放大器、使用电阻负反馈的第二CS放大器和交叉耦合式晶体管结构,第一CS放大器与第二CS放大器通过所述交叉耦合式晶体管结构连接;其中第一CS放大器和第二CS放大器作为差动输入级;

所述的第二级差动放大器,由具有推挽式连接的第三CS放大器和具有推挽式连接的第四CS放大器构成;所述第一级差动放大器中的第一CS放大器通过电容耦合到所述第二级差动放大器中的第三CS放大器,第一级差动放大器中的第二CS放大器通过电容耦合到第二级差动放大器中的第四CS放大器,使得信号在缓冲器前叠加,从而噪声以及三阶交调项在缓冲器前抵消;

所述缓冲器与第二级差动放大器的输出端相连接作为输出匹配;

所述的第一级差动放大器中的第一CS放大器包括推挽式连接的晶体管MN1和晶体管MP1;其中晶体管MN1的栅极为输入端,源极接到地,漏极与交叉耦合晶体管的MN5的源极连接;晶体管MP1的栅极与MN1栅极连接,源极与接地电容C3相连接,漏级与交叉耦合晶体管MN5的漏级连接;接地电容C3的一端与电流源连接,另一端接地,提供交流地,为晶体管MP1提供放大条件;反馈电阻RF1一端与晶体管MN1、MP1的漏极连接,提供输入匹配的同时也提供增益;

所述的第二个CS放大器包括推挽式连接的晶体管MN2和晶体管MP2;其中晶体管MN2的栅极为输入端,源极接到地,漏极与交叉耦合晶体管的MN5的源极连接;晶体管MP2的栅极与MN2的栅极连接,源极与接地电容C4连接,漏级与电流源连接;接地电容C4一端与电流源连接,一端接地,提供交流地,为晶体管MP2提供放大条件;反馈电阻RF2一端与晶体管MN2、MP2的栅极连接,一端与晶体管MN2、MP2的漏极连接,提供输入匹配的同时也提供增益。

2.根据权利要求1所述的两级差动低噪声放大器,其特征在于:

对于第一CS放大器,设置镜像电路以获得电流源,镜像电路主要由共栅的晶体管MP7和MP5组成,参考电流Iref通过所在的晶体管MP7一侧镜像至晶体管MP5一侧;相应的,接地电容C3一端是与晶体管MP5的漏极连接,一端接地;

对于第二CS放大器,设置镜像电路以获得电流源,镜像电路主要由共栅的晶体管MP8和MP6组成,参考电流Iref通过所在的晶体管MP8一侧镜像至晶体管MP6一侧;相应的,接地电容C4一端是与晶体管MP6的漏极连接,一端接地。

3.根据权利要求1所述的两级差动低噪声放大器,其特征在于:

所述交叉耦合式晶体管结构由晶体管MN5和晶体管MN6组成;晶体管MN5的栅极、源极、漏极分别与晶体管MN2的漏极、MN1的漏极、MP1的漏极相连,将晶体管MN2在漏极的输出电压耦合到MN5的栅极,增加MN5的小信号电流,进而增加第一CS放大器的等效跨导;

晶体管MN6的栅极、源极、漏极分别与晶体管MN1的漏极、MN2的漏极、MP2的漏极相连,将晶体管MN1在漏极的输出电压耦合到MN6的栅极,增加MN6的小信号电流,进而增加第二CS放大器的等效跨导。

4.根据权利要求1所述的两级差动低噪声放大器,其特征在于:

所述第三CS放大器包括推挽式连接的晶体管MN3和MP3;晶体管MN3的源极接地,栅极与第二CS放大器中的MN2栅极连接,漏极与MP3漏极连接;晶体管MP3的源极接直流电源VDD,栅极的一个支路经电阻R2接直流电源VDD,为晶体管MP3提供直流偏置,栅极的另一个支路经耦合电容C1连接至第一CS放大器中的MN5与MP1的共漏极结点X;

所述第四CS放大器包括推挽式连接的晶体管MN4和MP4;晶体管MN4的源极接地,栅极与第一CS放大器中的MN1栅极连接,漏极与MP4漏极连接;晶体管MP4的源极接直流电源VDD,栅极的一个支路经电阻R1接直流电源VDD,为晶体管MP4提供直流偏置,栅极的另一个支路经耦合电容C2连接至第二CS放大器中的MN6与MP2的共漏极结点Y。

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