[发明专利]一种基于大气压低温等离子体的牙齿根管消毒装置有效
申请号: | 201610045045.X | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105726140B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 方竞;潘洁;李应龙;王凯乐;张珏 | 申请(专利权)人: | 北京三十四科技有限公司 |
主分类号: | A61C5/40 | 分类号: | A61C5/40;A61C19/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086 北京市海淀区安宁*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 大气压 低温 等离子体 牙齿 消毒 装置 | ||
本发明公开一种基于大气压低温等离子体的牙齿根管消毒装置,包括手柄、微电弧等离子体发生器、导引管和高压电源,其中,所述微电弧等离子体发生器固定在手柄上,其高压极和地极分别通过导线连接高压电源,产生的等离子体射流喷射入导引管中;导引管的尖端一端深入牙根管的内部进行杀菌消毒。该装置能够快速有效杀灭细菌及生物膜,无毒、无刺激、无异味,有效避免氢氧化钙等药物时间长、耐药性及无法到达根管分支的缺点,同时大气压低温空气等离子体技术装置耗能低,操作简便,安全性好,导引管可更换,有效降低治疗成本。
技术领域
本发明涉及口腔医疗技术领域,具体涉及一种基于大气压低温等离子体的牙齿根管消毒装置。
背景技术
口腔疾病是人体患病率最高的疾病之一,牙髓感染以及慢性根尖周炎又是口腔科的最常见疾病之一,它是由存在于根管系统内的各种生物和非生物性刺激因素引起的根尖周围组织的炎性疾病。其中,细菌感染是最主要的病源刺激因素。细菌在根管系统附着,增殖,并形成生物膜,是根尖周炎症的发生、发展的主要原因。通过机械预备、化学药物冲洗、超声治疗等常规方法往往无法彻底去除根管内的感染生物膜,在这些抗菌措施的作用下细菌培养的阳性率仍然高达40%-60%,剩余微生物及其毒性代谢产物易导致顽固性根尖周炎和根管治疗失败。根管治疗术是目前治疗根尖周炎症的常用手段,通过机械和化学方法彻底清理根管内的炎症牙髓和感染坏死物质,并对根管进行适当消毒,最后严密充填,以清除根管内感染性内容物对根尖周组织的不良刺激,防止发生根尖周病或促进根尖病变愈合。但常规根管治疗术有一定的局限性,即使经过完善的根管治疗,仍然存在4%-15%的失败率,而再治疗的成功率为40%-85%左右。
根管内封药是治疗感染根管的步骤之一,目的是进一步清除机械预备以及化学冲洗后残留的细菌,使根管系统达到无菌状态。国际上最常用的药物是氢氧化钙,主要的杀菌机制是利用其较高的pH值,OH-的释放可以破坏细胞膜上的酶,改变其化学结构,最后导致细菌的死亡。但是研究表明,细菌生物膜对于氢氧化钙具有高度的耐药性,存活的细菌会在合适的条件下恢复生长繁殖能力,从而引起再感染,最终导致治疗失败。主要的原因在于这些药物无法达到根管系统中的侧支根管以及牙本质深层,也无法有效作用于生物膜的底层,即使能够到达这些区域,药物浓度已经大大低于初始浓度,低浓度的药物更容易诱导细菌产生耐药性,从而导致感染继续存在于根管系统以及牙本质小管中,在合适的时候转移至根管内引起再次感染。因此,彻底清除牙齿根管系统内的生物膜感染成为感染控制的一大难点。其次,根管内封药至少需要7~10天,患者往往需要多次复诊,非常耗费时间。
发明内容
为了克服上述不足,本发明的目的是提供一种基于大气压低温等离子体的牙齿根管高效消毒装置。区别于传统低温等离子体装置,本发明采用的等离子体发生器为空心电极介质阻挡结构的微电弧放电形式,具有超高的电子密度和活性氧自由基浓度,同时臭氧浓度极低。与此同时,本发明的牙齿根管消毒装置还可以通过内嵌的控制模块根据预设参数,对电流和电压进行自动调节,保持等离子体的施加剂量,适用于不同程度的根管感染治疗。除此之外,本发明的牙齿根管消毒装置在导引管侧壁设计有微孔阵列,便于等离子体横向射出,提高消毒效率。
具体的,本发明的技术方案如下:
一种基于大气压低温等离子体的牙齿根管消毒装置,包括手柄、微电弧等离子体发生器、导引管和高压电源,其中,所述微电弧等离子体发生器固定在手柄上,包括腔体、高压极、地极、进气口和出气口,在高压极与地极之间设置耐高压绝缘介质,且高压极和地极分别通过导线连接高压电源;工作气体经所述进气口进入所述腔体,在高压极和地极的作用下产生的等离子体射流由所述出气口喷射入导引管中;所述导引管的尖端一端深入牙根管的内部进行杀菌消毒,导引管的另一端紧密连接所述微电弧等离子体发生器的出气口。
进一步的,所述导引管深入牙根管的部分在侧壁开设有微孔阵列,孔间距为400~800μm,孔直径为100~300μm,而导引管的尾端封闭,保证等离子体由导引管侧壁射出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京三十四科技有限公司,未经北京三十四科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610045045.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。