[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201610045557.6 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105576090B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长一GaN层作为低温缓冲层；所述低温缓冲层的生长温度为530～560℃；
在所述低温缓冲层上生长又一GaN层作为高温缓冲层；所述高温缓冲层包括依次层叠在所述低温缓冲层上的第一高温缓冲子层和第二高温缓冲子层；所述第一高温缓冲子层的生长温度高于所述第二高温缓冲子层的生长温度，所述第一高温缓冲子层的生长温度为1060～1090℃，所述第二高温缓冲子层的生长温度为1030～1060℃；且所述第一高温缓冲子层的生长速率慢于所述第二高温缓冲子层的生长速率；
在所述高温缓冲层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，得到发光二极管外延片，所述第二高温缓冲子层的生长速率是所述第一高温缓冲子层的生长速率的1.5～3倍。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一高温缓冲子层的生长压力高于所述第二高温缓冲子层的生长压力，所述第一高温缓冲子层的生长压力为200～350Torr，所述第二高温缓冲子层的生长压力为100～200Torr。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一高温缓冲子层的厚度为1～1.5微米；所述第二高温缓冲子层的厚度为0.2～0.5微米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温缓冲层还包括层叠在所述第二高温缓冲子层上的第三高温缓冲子层；所述第三高温缓冲子层的生长温度高于所述第一高温缓冲子层的生长温度，所述第三高温缓冲子层的生长压力与所述第一高温缓冲子层的生长压力相同，所述第三高温缓冲子层的生长速率与所述第一高温缓冲子层的生长速率相同。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三高温缓冲子层的生长温度为1070～1100℃。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三高温缓冲子层的厚度为0.5～1微米。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三高温缓冲子层中掺有Si，所述第三高温缓冲子层中掺有的Si的浓度低于所述N型层中掺有的Si的浓度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三高温缓冲子层中掺有的Si的浓度为5×1017/cm3～5×1018/cm3。
9.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片由权利要求1至8中任一项所述的发光二极管外延片的制备方法制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610045557.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置
- 下一篇：一种光谱转换光伏组件
