[发明专利]一种纳米晶磁芯的磁场热处理方法在审

专利信息
申请号: 201610046537.0 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN105719826A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 朱方梁;江沐风;范星都;沈宝龙;江向荣 申请(专利权)人: 东南大学;朗峰新材料科技股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;C21D1/00;C21D1/26;C22F3/00;C22F1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 晶磁芯 磁场 热处理 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于该方法分三阶段:

第一阶段为:磁芯从室温加热30分钟到初始保温温度,即第一晶化起始温度Tx1以下200℃,并保温15分钟,目的在于保证热处理炉炉腔热量均匀;

第二阶段为:初始保温结束后加热45分钟到二次保温温度,即α-Fe(Si)晶粒刚开始析出的温度,并保温60分钟,目的在于增加纳米晶的形核密度,并保证磁芯内外热量均匀,消除磁芯因加热过快而产生内应力;

第三阶段为:二次保温结束后加热45分钟到最终保温温度,即Tx1以下40℃到Tx1以上40℃,目的在于保证磁芯完全晶化,保温结束后立即停止加热,并风冷和循环水冷却至室温;

热处理过程中从初始保温开始到冷却结束外加横向电磁场,使磁芯在保持高电感的前提下,显著降低其矫顽力和铁损。

2.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于所述的初始保温温度为300-350℃,二次保温温度为460-490℃,最终保温温度为500-580℃。

3.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于所述的初始保温温度优选为330℃,二次保温温度优选为480℃,最终保温温度优选为550℃。

4.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于所述外加横向电磁场,其电流大小为60-200A。

5.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于所述外加横向电磁场其电流大小优选为80-140A。

6.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于经该方法热处理后,磁芯在0.3V、20kHz测试条件下电感为10-14.5μH,与普通热处理后的电感值相比,其最大衰减量不超过10%。

7.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于经该方法热处理后,磁芯的矫顽力为0.45-0.6A/m,在0.2T、20kHz条件下的铁损为1.47-1.6W/kg,在0.5T、20kHz条件下的铁损为6.1-7.0W/kg。

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