[发明专利]阻变存储装置的测试方法和测试设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及阻变存储装置的测试方法和测试设备。

背景技术

具有阻变存储单元阵列的阻变存储装置被认为是最有潜力的下一代高密度存储技术之一。交叉点阵型的阻变存储单元阵列包括一组并行的字线和与其相垂直的一组并行位线。阻变存储单元位于字线和位线的交叉点处。图1示意性示出一个阻变存储单元阵列中的串扰现象。四个阻变存储单元R1至R4呈2行2列阵列排布，其中，R2为高阻状态，而R1、R3和R4均为低阻状态。如果想读取流经R2的电流，但由于存在流经R1→R3→R4的泄漏电流通路，使得最后读出的电流并不是真正经过R2的电流，造成误读操作。这现象可称为串扰现象。

发明内容

本发明的一个实施例提供一种阻变存储装置的测试方法，所述阻变存储装置包括成阵列排布的多个阻变存储单元，所述阵列包括在第一方向上交替排布的至少一个奇数行和至少一个偶数行；以及在不同于所述第一方向的第二方向上交替排布的至少一个奇数列和至少一个偶数列，所述多个阻变存储单元可分为第一存储单元组和第二存储单元组，其中，所述第一存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为偶数，所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为奇数，每个阻变存储单元设计为具有初始状态、高阻状态和低阻状态，所述测试方法包括以下步骤：

编程步骤：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组进行编程操作以改变所述组中的阻变存储单元的阻态，其中，在所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态；以及

检测步骤：对上述编程步骤中经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元执行读出操作以得到指示该至少一个所述阻变存储单元是否合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态，

其中，所述编程操作为形成操作、重置操作或设置操作，所述形成操作设计为将所述阻变存储单元由初始状态切换到低阻状态；所述重置操作设计为将所述阻变存储单元由低阻状态切换到高阻状态；所述设置操作设计为将所述阻变存储单元由高阻状态切换到低阻状态，其中，在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值小于在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值。

在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于初始状态的情况下，或者在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述初始状态且其中另一组中的阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态，对处于初始状态的一组执行形成操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，其中在所述形成操作期间未经历所述形成操作的另一组保持为所述初始状态或所述高阻状态；且对经历了所述形成操作的存储单元组执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否形成合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述形成操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。

在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述高阻状态或所述初始状态且其中另一组处于低阻状态的情况下，对处于所述低阻状态的一组进行重置操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述高阻状态，其中在所述重置操作期间未经历所述重置操作的另一组保持为所述高阻状态或所述初始状态；且对经历了所述重置操作的存储单元组执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否重置合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述重置操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。

在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于所述高阻状态的情况下，对所述第一存储单元组和所述第二存储单元中的一组进行设置操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，其中在所述设置操作期间未经历所述设置操作的阻变存储单元保持为所述高阻状态；且对经历了所述设置操作的阻变存储单元执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否设置合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述设置操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。

在一个示例中，所述阻变存储装置的测试方法还包括：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组并非均处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述多个阻变存储单元中的至少一个执行重置操作或修复操作使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态。

在一个示例中，所述的阻变存储装置的测试方法还包括：执行完所述检测步骤之后再次执行所述编程步骤。