[发明专利]液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探测器在审
申请号: | 201610048282.1 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105633189A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 宋继中;董宇辉;李建海;薛洁;许蕾梦;王涛;曾海波 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红;朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相合 超薄 无机 钙钛矿 cspbbr3 纳米 可见光 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及一种液相合成超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片组装的柔性可见光探测器, 属于光探测器领域。
技术背景
可见光探测器在可见光通讯、成像感应、生物医学传感等军事和工业领域均具有许 多重大的应用。随着各领域技术的逐步发展,要求光电探测器具备低成本,高灵敏度等 特点。有机无机杂化钙钛矿材料所具有的高量子效率,可溶液加工,波长易调等突出优 势引起了各国研究者的大量关注,使得这种材料在太阳能电池,光电探测器,LED等光 电器件中得到广泛应用。然而其稳定性差是限制其实际应用的最大障碍,我们需要既能 保留这类材料的优异光电性能,又能具有更好稳定性的材料,全无机钙钛矿纳米晶材料 的出现有助于解决这一问题。
全无机钙钛矿纳米晶把有机无机杂化钙钛矿材料的优异光电性能与无机钙钛矿材料 的稳定性结合起来,具有优异的光吸收能力、可调的带隙等优点。这些优势使得其在光 电探测器、光通讯等领域具有广阔的前景。
而二维材料的优势在于它具有原子级别厚度、高的载流子迁移率以及较好的稳定性, 可用于各种超薄、柔性以及高性能的光电子领域。综合以上优势,二维超薄纳米片状的 钙钛矿具有很广阔的前景和研究价值。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液相合成的、超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探 测器。
本发明可通过如下技术方案实现,一种液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片 可见光探测器,由如下步骤制备:
1)在干净的PET柔性衬底上沉积一定厚度的电极层;
2)刻蚀沉积的电极层得到一定间隔的电极;
3)取适量CsPbBr3纳米片的分散液在电极上成膜。
步骤1)中,所述电极层为ITO或Au;所述电极层的厚度为80~100nm。
步骤2)中,所述的电极间隔为3~20μm。
步骤3)中,所述的成膜采用旋涂法或者离心成膜法,旋涂转速为2000r/min,离心 成膜转速为6000r/min;CsPbBr3纳米片的分散液采用的溶剂为甲苯,溶液的浓度为 1.3*10-4mol/L。
本发明的优点是:1)本发明提供了一种液相合成的、超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米 片组装的可见光探测器,制备工艺简单;2)本发明提供了一种柔性的全无机钙钛矿可见 光探测器,其性能优异且柔性性能稳定;3)本发明的可见光探测器响应速度快,可达到 几十微秒,满足快速响应的需求。
附图说明
图1为本发明实施例1所用的CsPbBr3纳米片的TEM透射图。
图2为本发明实施例1制备的可见光探测器结构示意图。
图3为本发明实施例1制备的可见光探测器响应度图谱。
图4为本发明实施例1制备可见光探测器的明暗电压-电流(I-V)曲线图。
图5为本发明实施例1制备可见光探测器的电流-时间响应(I-t)曲线图。
图6为本发明实施例1制备的可见光探测器的柔性稳定性表征图。
具体实施方式
以下通过具体的实施例对本发明作进一步的描述。
本发明是在PET衬底上沉积了一定间距的电极材料,然后通过旋涂或离心成膜的方 法组装CsPbBr3纳米片薄膜,得到高性能的CsPbBr3无机钙钛矿纳米片柔性可见光探测 器。
实施例1
本实施例所述的液相合成的、超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片组装的可见光探测器, 具体包括如下步骤:
1)在干净的PET柔性衬底上沉积80nm厚的Au电极材料;
2)刻蚀沉积的电极层得到间隔为20μm,长度为1cm的电极;
3)取适量CsPbBr3纳米片的分散液在电极层上通过离心法成膜,采用的CsPbBr3纳 米片TEM透射图见图1,其结构示意图见图2,其响应度见图3,随着电压增加响应度 依次提高,其明暗电压-电流关系见图4,电流-时间响应见图5,其响应速度很快,可达 微秒级别,其柔性稳定性表征图见图6。
实施例2
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的