[发明专利]基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器在审
| 申请号： | 201610049854.8 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105572865A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;周常河;李民康;项长铖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B27/00 | 分类号： | G02B27/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯;张宁展 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 单层 石墨 布拉格 光栅 光谱 选择性 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱 选择性吸收器，其特征在于该吸收器包括自上而下的电介质光栅层(2)、单层石墨 烯(3)和布拉格光栅层(4)，所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574～ 576纳米、548～550纳米和219～221纳米，所述布拉格光栅层由至少20对的低折 射率电介质平板和高折射率电介质平板组成，低折射率电介质平板的厚度为340～ 350纳米，高折射率电介质平板的厚度为165～175纳米。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱 选择性吸收器，其特征在于，所述的电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为575 纳米、549纳米和220纳米，所述布拉格光栅层为20对低折射率电介质平板和高折 射率电介质平板，其厚度分别为345纳米和170纳米。
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