[发明专利]量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法及液晶 显示装置。

背景技术

量子点发光器件，比如，量子点发光二极管(QuantumdotLightEmitting Diode，QLED)因具有色域广、色纯度高、稳定性好、低功耗、低成本等优点 被誉为继有机发光器件之后的新一代照明器件。所述量子点发光器件包括量子 点发光层，所述量子点发光层通常通过如下方式形成：将量子点发光材料溶于 油性的有机溶剂中，通过旋涂成膜以形成量子点发光层。由于量子点发光层上 覆盖的其他膜层在制作时容易对已经成膜的量子点发光层造成破坏，因此，同 时制备出包括多个量子点发光层的量子点发光器件较为困难。

发明内容

本发明提供一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括阳极、空穴注 入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、电荷产生层、第二量子点发光层、 第一电子传输层、电子注入层及阴极，所述阳极和所述阴极相对且间隔设置， 所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一量子点发光层、所述电荷产 生层、所述第二量子点发光层、所述第一电子传输层及所述电子注入层依次层 叠设置在所述阳极和所述阴极之间，且所述空穴注入层与所述阳极接触，所述 电子注入层与所述阴极接触，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产 生层及第二空穴传输层，所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述第二 空穴传输层依次层叠设置，且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点发光 层远离所述第一空穴传输层的表面，所述第二空穴传输层设置在所述第二量子 点发光层远离所述电子传输层的表面，所述阳极用于提供第一空穴，所述阴极 用于提供第一电子，所述空穴注入层用于将所述第一空穴注入所述第一空穴传 输层，所述第一空穴传输层用于将所述第一空穴传输至所述第一量子点发光层， 所述电子注入层用于将所述第一电子注入所述第一电子传输层，所述第一电子 传输层用于将所述第一电子传输至所述第二量子点发光层，所述载流子产生层 用于产生第二电子和第二空穴，所述第二电子传输层用于将所述第二电子传输 至所述第一量子点发光层，所述第二空穴传输层用于将所述第二空穴传输至所 述第二量子点发光层，所述第二电子及所述第一空穴在所述第一量子点发光层 内复合以发出第一光线，所述第二空穴及所述第一电子在所述第二量子点发光 层内复合以发出第二光线，其中，所述第二电子传输层包括水醇溶性聚合物。

其中，所述水醇溶性聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者 多种。

其中，所述载流子产生层为金属层。

其中，所述第二空穴传输层包括P型金属氧化物，其中，所述P型金属氧 化物包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一种或者多种。

其中，所述第一光线的颜色与所述第二光线的颜色相同；或者所述第一光 线的颜色与所述第二光线的颜色不同。

其中，所述阳极包括氧化铟锡，所述阴极包括铝。

其中，所述第一量子点发光层包括单层或者多层量子点；或者/和所述第二 量子点发光层包括单层或者多层量子点。

其中，所述第二电子传输层的厚度为10～20nm，所述载流子产生层为5nm， 所述第二空穴传输层的厚度为10nm。

本发明还提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述量子点发光器件的 制备方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面形成阳极；

在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴注入材料以形成空穴注入层；

在所述空穴注入层远离所述阳极的表面涂布第一空穴传输材料以形成第一 空穴传输层；

在所述第一空穴传输层远离所述空穴注入层的表面涂布第一量子点发光材 料以形成第一量子点发光层；

在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层的表面形成电荷产生层， 其中，所述电荷产生层包括第二电子传输层、载流子产生层及第二空穴传输层， 所述第二电子传输层、所述载流子产生层及所述第二空穴传输层依次层叠设置， 且所述第二电子传输层设置在所述第一量子点发光层远离所述第一空穴传输层 的表面；

在所述电荷产生层远离所述第一量子点发光层的涂布第二量子点发光材料 以形成第二量子点发光层；

在所述第二量子点发光层远离所述电荷产生层的表面涂布第一电子传输材 料以形成第一电子传输层；