[发明专利]一种非晶态材料制备方法在审
| 申请号： | 201610050104.2 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106997850A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 向勇;闫宗楷;徐子明 | 申请（专利权）人： | 宁波国际材料基因工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/203;C23C14/35;C23C14/30 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司33102 | 代理人： | 刘凤钦,王莹 |
| 地址： | 315040 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶态 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶态材料制备方法，其特征在于：根据非晶态材料所需的各成分材料的分布规则，周期性的依次将各成分材料沉积在基片上以制成超晶格结构样品，然后对所述超晶格结构样品进行低温热处理，进而制成非晶态材料；其中，低温热处理的温度范围为各成分材料的扩散温度和结晶温度之间范围的交集区间；
在每层成分材料沉积前，分别调节对应沉积源的工作参数、调节对应沉积源与基片之间的相对位置；
各成分材料在基片上的单层沉积厚度分别对应小于各成分材料的扩散-结晶临界厚度。
2.根据权利要求1所述的非晶态材料制备方法，其特征在于：通过磁控溅射方法和/或电子束蒸发方法在基片上沉积各成分材料。
3.根据权利要求1或2所述的非晶态材料制备方法，其特征在于：根据各成分材料的分布规则，在沉积各成分材料前移动和/或旋转基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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