[发明专利]一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法有效
| 申请号： | 201610050185.6 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105489711B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李中兰 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 太阳电池 表面 浓度 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在800℃-810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃-950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积，接着在800℃-950℃于氮气加氧气气氛中氧化推进，然后在氮气气氛中于800℃-810℃出舟，所述磷源沉积步骤中磷源流量小于氧气流量，所述装硅片进舟步骤中氮气的流量远大于氧气的流量。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磷源沉积步骤中携带磷源的氮气流量为50sccm-200sccm，氧气流量为500sccm-2000sccm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磷源沉积的时间为10min-20min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化推进步骤中氧化的时间为10min-50min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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