[发明专利]一种量子点电致发光器件有效
申请号: | 201610050389.X | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN106997927B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 闵超;李维维;赵菲;刘嵩;敖伟 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张秋越 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 电致发光 器件 | ||
1.一种量子点电致发光器件,包括发光层,其特征在于,所述发光层包含量子点材料和热活化延迟荧光材料,其中,热活化延迟荧光材料的发光光谱与量子点材料的吸收光谱在归一化后,波峰对应的波长之差在50nm以内;
其中,量子点材料在所述发光层中所占的比例大于零且不高于40wt%,热活化延迟荧光材料在所述发光层中所占的比例为不低于10wt%且小于100wt%。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述发光层中还包括磷光主体材料。
3.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述磷光主体材料的三线态能级高于所选择的热活化延迟荧光材料的单线态能级。
4.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述磷光主体材料为CBP、CDBP、mCP、DCB、DCz,Ad-Cz、TCz1、CzSi、CBZ1-F2、SimCP、TCTEB、26DCzPPy、MPO12、TCTA、TPBi、PVK、PSiFC6C6、P36EHF、ttbCBP、CFL、TFTPA、TSTC、BOBP3、T2N、TPBI、o-CzOXD、BUPH1、DBF、SPPO1、MP012、PO1、P06、35DCzPPy、4CZPBP、3CZPBP、CBF和TCTEB中的一种或其组合。
5.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,量子点材料在所述发光层中所占的比例为不高于40wt%,热活化延迟荧光材料在所述发光层中所占的比例为不低于10wt%,其余为磷光主体材料。
6.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,量子点材料在所述发光层中所占的比例为5-40wt%,热活化延迟荧光材料在所述发光层中所占的比例为10-95wt%且不包括上限,其余为磷光主体材料。
7.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述量子点材料为硫化锌、氧化锌、氮化镓、硒化锌、硫化镉、硒化镓、硒化镉、碲化锌、碲化镉、砷化镓、磷化铟和碲化铅中的一种或其组合,所述量子点材料的粒径在1-8nm之间,量子点材料的发光光谱的波峰对应的波长在400-700nm之间。
8.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料的CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级,并且两者相差为0~0.3eV之间。
9.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料为具有如下通式结构的材料中的一种或其组合:
其中,R1选自H,Ph或以下基团,R2、R3、R4选自以下基团:
R5选自以下基团:
10.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,包括在基板上依次层叠的阳极、空穴注入层、所述发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
11.根据权利要求10所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层与所述发光层之间设有空穴传输层。
12.根据权利要求11所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层与所述发光层之间设有电子阻挡层;所述发光层与所述电子传输层之间设有空穴阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择