[发明专利]一种长余辉发光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种长余辉发光材料，如式(I)所示：

a[Ln_2-xO₃·xRe]·b[(1-y)Al₂O₃·yGa₂O₃] (I)；

其中，a为3，b为5或8，0.01≤x≤0.03，0.6≤y≤0.9；

Ln为Gd、Y、Lu与La中的两种；

Re为Ce或Eu、Nd、Er、Yb与Bi中的任意一种与Ce。

2.一种长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，包括：

S1)将Ln源化合物、Re源化合物、Al源化合物与Ga源化合物混合，在保护气氛下进行一次焙烧，得到初级产品：

S2)将所述初级产品在保护气氛下进行二次焙烧，得到长余辉发光材料；

其中，Ln为Gd、Y、Lu与La中的两种；

Re为Ce或Eu、Nd、Er、Yb与Bi中的任意一种与Ce；

所述Ln源化合物中Ln元素、Re源化合物中Re元素、Al源化合物中Al元素与Ga源化合物中Ga元素的摩尔比为[(2-x)×a]：(x×a)：[(1-y)×b×2]：(y×b×2)；a为3，b为5或8，0.01≤x≤0.03，0.6≤y≤0.9。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1)中的保护气氛为空气和/或氮气；所述步骤S2)中的保护气氛为氢气、氮气与一氧化碳中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1)中混合后还加入助溶剂；所述助溶剂选自SiO₂、GeO₂、ZrO₂、BaCO₃、NH₄H₂PO₄与(NH₄)₂HPO₄中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述一次焙烧的温度为1100℃～1600℃；所述一次焙烧的时间为3～8h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述二次焙烧的温度为800℃～950℃；所述二次焙烧的时间为3～8h。