[发明专利]一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法有效

专利信息
申请号: 201610051172.0 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105760574B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 邹小波;朱瑶迪;石吉勇;申婷婷;黄晓玮;张文 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 模拟 固态 发酵 过程 温度场 分布 方法
【权利要求书】:

1.一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,确定发酵基质温度场分布的平面,包括轴向平面和径向平面,在所述温度场分布的平面中布置在线温度传感器,在轴向上从上部至下部布置温度传感器,径向上从左至右布置温度传感器;

步骤2,画出温度场的几何区域;

步骤3,使用FEM对PDE方程进行数值计算,包括剖分三角网格,离散方程和求方程的数值解;

步骤4,在MATLAB的PDE工具箱的界面上设定参数、边界条件以及初始条件;

步骤5,设定偏微分控制方程的类型;

步骤6,将SSF过程中的热量分析参数带入导热方程,计算发酵基质的热量,采用FEM求解偏微分控制方程,建立用于模拟发酵基质内二维、三维非稳态模型的温度场;具体包括:

(1)为了导出发酵醋醅中温度分布的偏微分控制方程,从中任取一个微元六面体dxdydz为点热源,根据傅里叶热传导定律计算推导,求得在δt时间内导入微元体内的热量dQλ如下:

其中,dQx、dQy和dQz分别为x、y和z方向上的微元体热量,k为导热系数;

(2)一定时间内微元体内热源产生的热量计算

首先假定微元体内部有热源,其强度为q-B,则在δt时间内热源提供的热量应为:

dQsh=q-Bdxdydzδt 式4

(3)一定时间内微元体内若要温升所需的热量计算

假设在δt时间内微元体的温度由θ变为那么微元体所积蓄的热量为:

其中,C是发酵基质的比热;

则依据上面的叙述导出偏微分控制方程,根据能量守恒定律有:

dQλ+dQsh=dQT 式6

将关系式3、4、5带入式6中且两边同除以dxdydzδt得到任意时刻发酵池中内部处处都应满足的偏微分控制方程:

2.根据权利要求1所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,步骤2的实现包括:利用PDE工具箱的GUI界面创建计算的几何区域,所述几何区域为矩形区域,确定计算的范围;或者利用Wgeom写出几何区域的说明文件。

3.根据权利要求1所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,步骤3中所述剖分三角网格的实现是利用initmesh和refinemesh函数创建初始三角形网格以及细化网格。

4.根据权利要求1所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,步骤4中所述的参数包括几何模型的尺寸信息以及物性参数,所述物性参数包括发酵基质的比热容C、导热系数k、密度ρ以及发酵热Q。

5.根据权利要求4所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,C=1.56KJ/(kg·K),k=0.54W/(m K),ρ=364.2kg/m3,Q=1562KJ/Kg。

6.根据权利要求1所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,步骤4中所述设定边界条件是利用MATLAB中的PDE工具箱中的命令函数进行定义,利用函数Wbound写边界条件的说明文件,利用函数pdesetbd完成边界条件的设定,利用Assema函数对发酵基质温度场的几何区域的边界条件进行组装。

7.根据权利要求6所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,所述边界条件为Dirichlet边界条件。

8.根据权利要求1所述的一种模拟固态发酵过程中温度场分布的方法,其特征在于,步骤5中所述偏微分控制方程的类型设为非线性椭圆方程。

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