[发明专利]基板湿式处理装置及包括其的单晶圆蚀刻清洗装置

说明书

本发明提供一种基板湿式处理装置及包括其的单晶圆蚀刻清洗装置，其包括一旋转夹头、一传动主轴、一背洗座及至少一密封件。所述旋转夹头用于固持并旋转一基板。所述传动主轴连设于所述旋转夹头，用于驱动所述旋转夹头。所述背洗座设置于所述旋转夹头及所述传动主轴周围，所述背洗座设有一液体喷嘴，用于提供液体以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多个组件，其中两相邻组件之间具有一间隙。所述至少一密封件设置于每一间隙中，用于隔绝液体及气体的泄漏。

【技术领域】

本发明是关于一种基板处理装置，尤指一种基板湿式处理装置及包括其的单晶圆蚀刻清洗装置。

【背景技术】

在半导体晶圆、显示器基板、太阳能基板、LED基板等的工艺中，都需要对基板进行多道处理步骤，例如对晶圆的表面喷洒处理液(例如化学品或去离子水等)，以进行晶圆的蚀刻、清洗等湿式处理程序。请参照图1，图1为现有的旋转蚀刻清洗机台的剖面示意图。现有的旋转蚀刻清洗机台10包括一蚀刻腔体12，蚀刻腔体12中设有一载台14用以承载及固定一晶圆W，载台14下方的转轴16可依各种工艺参数的设定需求，进行高低速旋转，进而带动晶圆W旋转，蚀刻液19则由晶圆W上方的液体供给单元18流下，以对晶圆W的正面进行蚀刻。

实际上，蚀刻腔体12内位于载台14下方还具有许多机构，如马达，清洗晶圆底部的流体喷嘴(图未示)等等，而一般在进行蚀刻时，蚀刻液19常使用酸性液体，如硝酸(HNO₃)和氢氟酸(HF)等，而这些蚀刻液19在反应的过程中会产生酸气，酸气会随经HEPA(高效率空气过滤网)过滤后的气流沈降导入下方机构区，而侵蚀上述机构。另外，流体喷嘴的组件表面残存酸液时，也会因毛细现像，而循着组件的间隙流入机构区，进而侵蚀上述机构。

【发明内容】

有鉴于此，为了防止蚀刻液或其形成的酸气侵蚀腔体下方的机构，本发明的目的在于提供一种基板湿式处理装置，其透过密封件隔绝背洗座的可能的间隙，以隔离蚀刻液或腐蚀性气体对机构区的侵蚀。

本发明的另一目的在于提供一种单晶圆蚀刻清洗装置，其采用上述基板湿式处理装置，以隔离蚀刻液或腐蚀性气体对机构区的侵蚀。

为达成上述目的，本发明提供的基板湿式处理装置包括旋转夹头、传动主轴、背洗座及至少一密封件。所述旋转夹头用于固持并旋转基板。所述传动主轴连设于所述旋转夹头，用于驱动所述旋转夹头。所述背洗座设置于所述旋转夹头及所述传动主轴周围，所述背洗座设有一液体喷嘴，用于提供液体以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多个组件，其中两相邻组件之间具有一间隙。所述至少一密封件设置于每一间隙中，用于隔绝液体及气体的泄漏。

在一优选实施例中，所述间隙为环状，每一密封件为O形环。

在一优选实施例中，所述基板湿式处理装置还包括机构区，所述机构区定义于所述传动主轴及的所述背洗座之下方，其中所述至少一密封件用于防止液体及气体进入所述机构区。

在一优选实施例中，所述多个组件包括主体、上压环以及下压环。所述主体环设于传动主轴周围并位于旋转夹头下方。所述上压环环设于所述主体周围，并与所述基板的所述底面相距一预定距离，其中所述上压环与所述主体之间具有一第一间隙。所述下压环环设于所述主体周围，并设置于所述上压环下方，其中所述下压环与所述主体之间具有一第二间隙。

在此优选实施例中，所述主体于所述第一间隙处具有第一环沟，于所述第二间隙处具有第二环沟，所述至少一密封件包括第一O形环及第二O形环，所述第一O形环及所述第二O形环分别设置于所述第一环沟及所述第二环沟中。

在此优选实施例中，所述多个组件还包括轴封件，环设于传动主轴周围并位于所述主体下方，所述轴封件与所述主体之间具有一第三间隙。此外，所述主体于所述第三间隙处具有第三环沟，所述至少一密封件还包括第三O形环，所述第三O形环设置于所述第三环沟中。