[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置

说明书

本发明的实施例提供像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置。像素电路包括复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿和保持模块、驱动模块以及发光器件。复位模块与存储模块以及发光器件连接，被配置为复位存储模块以及发光器件。数据写入模块与驱动模块连接，被配置为用于提供数据电流。补偿和保持模块与驱动模块以及存储模块连接，被配置为产生用于驱动模块的控制电压，其中控制电压是基于数据电流的函数。存储模块与驱动模块连接，被配置为存储控制电压。驱动模块与发光器件连接，被配置为根据控制电压产生驱动电流。发光器件被配置为由驱动电流驱动而发光。像素电路可以在不增加发光器件功耗的情况下，提高发光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

目前典型的量子点发光二极管(QLED)结构包括电子传输层、空穴传输层以及量子点发光层。空穴传输层以及电子传输层可以由有机小分子、有机聚合物或者无机金属氧化物构成。空穴传输层与电子传输层的设置能够使量子点发光二极管的发光效率从最初的低于0.1％提升到约10％，但是空穴传输层与量子点发光层之间最高占据分子轨道(HighestOccupied Molecular Orbital，HOMO)能级的不匹配使得量子点电荷注入效率仍然普遍偏低，并且量子点注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性。与传统的有机电致发光二极管(OLED)比较，量子点电致发光二极管(QLED)的电荷注入不平衡的缺点，限制了其发光寿命和效率。

现有技术中，主要采用以下三种方式对于该问题进行改善。第一种方式是提高空穴传输层的HOMO能级以与量子点发光材料的HOMO能级尽可能匹配。第二种方式是通过设置空穴增强层来增加空穴的迁移率与注入效率。第三种方式是通过设置电子阻挡层来减缓电子的注入速率，提升电子与空穴的复合效率。在第一种方式中，难以合成或找到构成该空穴传输层所需的材料。在第二种方式中，需要设置多层空穴传输层，增加了工艺制作的难度。在第三种方式中，并不能增加被激发的光子，因此难以提升发光效率。

发明内容

本发明的实施例提供了像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置，用于提高发光器件的发光效率。

根据本发明的第一个方面，提供了一种像素电路，包括：复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿和保持模块、驱动模块以及发光器件。复位模块与存储模块以及发光器件连接。数据写入模块与驱动模块连接。补偿和保持模块与驱动模块以及存储模块连接。存储模块与驱动模块连接，被配置为存储控制电压。驱动模块与发光器件连接。

在本发明的实施例中，复位模块被配置为复位存储模块以及发光器件。数据写入模块被配置为用于提供数据电流。补偿和保持模块被配置为产生用于驱动模块的控制电压，其中控制电压是基于数据电流的函数。并且，补偿和保持模块还被配置为用于保持控制电压。存储模块被配置为存储控制电压。驱动模块被配置为根据控制电压产生驱动电流。发光器件被配置为由驱动电流驱动而发光。

在本发明的实施例中，补偿和保持模块包括第三晶体管，第三晶体管的控制极与第二电压线连接，第一极与第一电压线连接，第二极与驱动模块以及存储模块连接。

在本发明的实施例中，复位模块包括第四晶体管，第四晶体管的控制极与第二电压线连接，第一极与存储模块以及发光器件连接，第二极与第三电压线连接。

在本发明的实施例中，驱动模块包括第二晶体管，第二晶体管的第一极与第一电压线连接，并且存储模块被连接在第二晶体管的控制极和第二极之间。

在本发明的实施例中，数据写入模块包括第一晶体管，第一晶体管的控制极与第二电压线连接，第一极与驱动模块连接，第二极与数据电流线连接。

在本发明的实施例中，存储模块包括电容，并且，驱动模块被连接在电容的第一端和第二端之间。

在本发明的实施例中，晶体管是N型MOS管。