[发明专利]一种顶发射有机发光二极管OLED器件及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管领域，尤其涉及一种顶发射有机发光二极管 OLED器件及制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)器件是在电 场作用下使有机材料发光的器件，具有视角宽、响应时间短、对比度高、可实 现超薄可柔等特点。

OLED按照光源射出位置的不同，可以分为底发射(BottomEmitting，简 称BE)OLED和顶发射(TopEmitting，简称TE)OLED。其中，顶发射OLED 的工作原理是光源从顶发射OLED顶部的半透明或全透明的阴极层射出。

然而，由于顶发射OLED的有机功能层位于全反射阳极层与半透明或全透 明阴极层之间，这种结构将产生微腔效应。在实际应用中，这种微腔效应对光 源具有窄化和加强等作用。但是经研究发现，微腔效应主要可以提高顶发射 OLED的出光性能，但是在不同视角下的光谱和光强分布变化较大，直接导致 视角性能变差。

综上所述，亟需一种顶发射OLED器件，用于解决现有技术中顶发射OLED 器件存在的光学性能较差的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种顶发射有机发光二极管OLED器件及 制备方法，用以解决现有技术中顶发射OLED器件存在的光学性能较差的问题。

一种顶发射OLED器件，包括：基板、阳极层、有机功能层、复合阴极层 和光输出耦合层，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 子传输层和电子注入层，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第三 阴极层，其中：

所述第一阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一 数值的金属材料；所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值 的金属材料。

可选地，所述第一阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于1 的金属银。

可选地，所述第一阴极层的厚度为10nm～20nm。

可选地，所述第三阴极层的厚度为1nm～10nm。

可选地，所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于3的金属锗。

可选地，所述第二阴极层的厚度为1nm～10nm。

一种顶发射OLED器件的制备方法，包括：

利用物理气相沉积PVD的方法，在基板上依次镀膜得到阳极层、有机功 能层，其中，所述有机功能层包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传 输层和电子注入层；

利用真空蒸镀的方法，在所述有机功能层的电子注入层上形成复合阴极层， 其中，所述复合阴极层包括第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层，所述第一 阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材 料，所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料；

利用真空蒸镀的方法，在所述复合阴极层的第三阴极层上形成光输出耦合 层，得到顶发射OLED器件。

可选地，所述第一阴极层和所述第三阴极层所使用的材料为折射率小于1 的金属银。

可选地，所述第一阴极层的厚度为10nm～20nm。

可选地，所述第三阴极层的厚度为1nm～10nm。

可选地，所述第二阴极层所使用的材料为折射率不小于3的材料。可选的 该材料是金属锗。

可选地，所述第二阴极层的厚度为1nm～10nm。

有益效果：

本发明实施例提供的顶发射有机发光二极管OLED器件，包括：基板、阳 极层、有机功能层、复合阴极层和光输出耦合层，所述有机功能层包括空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述复合阴极层包括 第一阴极层、第二阴极层和第三阴极层，所述第一阴极层和所述第三阴极层所 使用的材料为折射率小于设定第一数值的金属材料；所述第二阴极层所使用的 材料为折射率不小于设定第二数值的金属材料。通过改变现有顶发射OLED器 件中阴极层的结构，分别采用金属银、高折射率的金属锗复合形成本发明实施 例中记载的复合阴极层，第一阴极层满足导电和形成微腔的作用，第二阴极层 和第三阴极层能够提高顶发射OLED的光取出效率，有效改善顶发射OLED 的光学性能。

附图说明