[发明专利]一种多孔层结构钙钛矿型太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201610052524.4 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105514279B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 阙文修;阙美丹;尹行天;陈鹏;杨亚威;杜亚平 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 结构 钙钛矿型 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种多孔层结构钙钛矿型太阳能电池,其特征在于:包括从上至下依次叠层设置的FTO玻璃衬底、TiO2致密层、上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极;
上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层中的上转化发光材料是以NaYF4为基质掺杂稀土元素,粒径为40-50nm;上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层中的TiO2为P25,粒径为20-25nm;上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层中上转化发光材料与TiO2的重量比为1-8:4;所掺杂稀土元素为铒、铥、钬中一种和镱;所掺杂镱的化学计量比为2%;所掺杂铒、铥、钬中一种的化学计量比为0.5%;
上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层的制备方法包括以下步骤:
将NaYF4为基质上转换材料与二氧化钛P25按重量比为1-8:4均匀混合,获得混合物A;将乙基纤维素,松油醇,酒精按重量比1:1-3:20均匀混合,获得溶胶B;将溶胶B置于容器,然后把混合物A倒容器中,混合物A与溶胶B的质量比为1:200-400;将密封容器后置于磁力搅拌器上持续搅拌12 h以上,然后超声4-8h,得到浆料D;
在TiO2致密层表面旋涂浆料D,旋涂过程分为两个步骤,首先以500 r/min的速率旋涂5 s,然后以2500-5000r的速率旋涂45 s;接着将膜放在130℃ 的热板上烘烤10min,降至室温后,继续重复旋涂-烘烤的步骤,最后在TiO2薄膜表面旋涂上转化发光材料/TiO2薄膜2-5层;
将旋涂完上转化发光材料/TiO2混合物的薄膜置于马弗炉中,400-500℃退火60min,取出后放置100M的TiCl4溶液中70℃ 浸泡30-60min,然后继续在马弗炉中,400-500℃ 退火30-100min,降至室温后,获得上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层。
2.根据权利要求1所述的一种多孔层结构钙钛矿型太阳能电池,其特征在于,FTO玻璃衬底的方块电阻是12Ω,透过率为75%;所述钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层;所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4- 甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-MeOTAD)空穴传输层;所述金属电极为Au背电极层或Ag背电极层。
3.根据权利要求1所述的一种多孔层结构钙钛矿型太阳能电池,其特征在于, FTO玻璃衬底的厚度为100-150nm;TiO2致密层的厚度为20-80nm;上转化发光材料/TiO2混合物的多孔层的厚度为150-200nm;钙钛矿吸光层的厚度为200-300nm;空穴传输层的厚度为40-60nm,金属电极的厚度为150-200nm。
4.权利要求1至3中任一项所述的一种多孔层结构钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将FTO玻璃衬底清洁干净;
2)在FTO玻璃衬底表面制备一层TiO2致密层;
3)在TiO2致密层上形成一层上转换发光材料/TiO2混合物的多孔层;
4)在多孔层上制备一层钙钛矿吸收层;
5)在钙钛矿吸收层上制备一层空穴传导层;
6)在空穴传导层上制备形成金属电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610052524.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择