[发明专利]一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法

权利要求书

1.一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；

2)将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统(ALD)中，沉积一层Al₂O₃薄膜，实现对 Ge衬底的表面钝化，获得Al₂O₃/Ge结构；

3)将步骤2)得到的Al₂O₃/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al₂O₃/Ge界面态的优 化；

4)在步骤3)处理后的样品上生长HfO₂高K介质；

5)将步骤4)中获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上 电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得到MOS结构器件，实现优化堆叠 栅介质与锗界面。

2.如权利要求1所述一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于在步骤1)中， 所述清洗采用如下方法：先对Ge片进行有机清洗，依次在丙酮、乙醇、去离子水中各超声 清洗10min，去除有机污染物；再用去离子水冲洗后放入盐酸溶液中漂洗4min，去除表面氧 化物层；然后用去离子水冲洗后放入氢氟酸溶液中漂洗30s；经过去离子水冲洗，最后用N₂吹干。

3.如权利要求2所述一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于所述盐酸溶液中 按体积比HCl∶H₂O＝1∶4；所述氢氟酸溶液中按体积比HF∶H₂O＝1∶50。

4.如权利要求1所述一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于在步骤4)中， 所述生长HfO₂高K介质采用原子层沉积法。

5.如权利要求1所述一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于在步骤5)中， 所述作为上电极的金属层的厚度为300nm。