[发明专利]一种背照式传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610055233.0 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702695B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王前文;胡胜;胡思平;董金文 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 传感器 制备 方法 | ||
1.一种背照式传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管；
按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成金属栅格层、第一氧化层和阻挡层；
按照从上至下的顺序依次刻蚀阻挡层、第一氧化层和金属栅格层以于所述半导体衬底的背面上方形成上表面具有第一氧化层和阻挡层的若干金属栅格；
于所述半导体衬底的背面上方形成第二氧化层，所述第二氧化层上表面与所述阻挡层平齐，且充满相邻所述金属栅格之间的空隙；
去除所述阻挡层和位于所述第一氧化层之上的第二氧化层。
2.如权利要求1所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化物。
3.如权利要求2所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化硅。
4.如权利要求1所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，形成所述第二氧化层的步骤包括：
沉积氧化物以充满相邻所述金属栅格之间的空隙并将所述阻挡层的上表面及其侧壁均予以覆盖；
对所述氧化物进行平坦化工艺至所述阻挡层的上表面停止。
5.如权利要求4所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械平坦化工艺。
6.如权利要求1所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材质相同。
7.如权利要求6所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材质均为二氧化硅。
8.如权利要求1所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述金属栅格层包括底端粘合层和位于所述底端粘合层之上的金属层。
9.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述底端粘合层的材质为氮化钛。
10.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝、铜或钨。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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