[发明专利]一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备及方法在审

专利信息
申请号: 201610056249.3 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN105648200A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 吴九汇;张东哲 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C21D10/00 分类号: C21D10/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 光子 晶体 混强场 激光 冲击 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其特征在于,包括两个对 称设置的腔体(1),两个腔体(1)上均设有若干用于设置激光器(3)的激 光入射口,且两个腔体(1)上的激光入射口关于两个腔体(1)的对称轴对 称设置;两个腔体(1)上相对的位置对称设有激光出射口,且两个腔体(1) 上的激光出射口通过腔体连接板(8)连通,腔体连接板(8)上固定有用于 夹持工件(4)的夹紧装置(5),两个腔体(1)上的激光出射口处均设有能 够打开或关闭的挡板(7),腔体(1)、腔体连接板(8)以及挡板(7)的内 侧均设有光子晶体结构材料(2)。

2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,工件(4)的表面贴有柔性贴膜(6),柔性贴膜(6)的厚度为1~2mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,光子晶体结构材料(2)由GaAs与Al2O3周期排列组成,且光子 晶体结构材料(2)的底层为GaAs,表层为Al2O3

4.根据权利要求3所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,GaAs的厚度为149nm,Al2O3的厚度为80nm,且光子晶体结构 材料(2)的结构周期为17。

5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,腔体(1)为球形腔体。

6.根据权利要求5所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,腔体(1)的半径为1000mm,激光入射口的半径为2.5mm,激光 出射口尺寸为20mm×20mm。

7.根据权利要求5所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,两个腔体(1)上各设有三个激光入射口和一个激光出射口,其中 一个腔体(1)上三个激光入射口的方位为:天顶角60度,方位角0度;天 顶角120度,方位角120度;天顶角90度,方位角240度;激光出射口的方 位为:天顶角90度,方位角180度。

8.一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法,其特征在于,采用权利要 求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,包括以下步骤:

步骤一:根据待加工工件(4)的尺寸,确定激光出射口处的挡板(7) 的尺寸,挡板(7)的尺寸大于工件(4)待加工面的尺寸;

步骤二:在工件(4)的待加工面贴上柔性贴膜(6);

步骤三:用夹紧装置(5)将待加工面贴有柔性贴膜(6)的工件(4)固 定在激光冲击设备中;

步骤四:根据待加工工件(4)材料特性确定激光器(3)的参数;

步骤五:关闭挡板(7),打开所有激光器(3);

步骤六:经过充能时间t1后,打开挡板(7),对工件(4)进行双面整 体激光冲击。

9.根据权利要求8所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法,其 特征在于,激光器(3)的参数包括:波长1064nm,脉宽10~30ns,激光脉 冲能量5~25J,光斑直径5mm。

10.根据权利要求8所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法, 其特征在于,充能时间t1为80~100s。

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