[发明专利]一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备及方法在审
申请号: | 201610056249.3 | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN105648200A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 吴九汇;张东哲 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C21D10/00 | 分类号: | C21D10/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 光子 晶体 混强场 激光 冲击 设备 方法 | ||
1.一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其特征在于,包括两个对 称设置的腔体(1),两个腔体(1)上均设有若干用于设置激光器(3)的激 光入射口,且两个腔体(1)上的激光入射口关于两个腔体(1)的对称轴对 称设置;两个腔体(1)上相对的位置对称设有激光出射口,且两个腔体(1) 上的激光出射口通过腔体连接板(8)连通,腔体连接板(8)上固定有用于 夹持工件(4)的夹紧装置(5),两个腔体(1)上的激光出射口处均设有能 够打开或关闭的挡板(7),腔体(1)、腔体连接板(8)以及挡板(7)的内 侧均设有光子晶体结构材料(2)。
2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,工件(4)的表面贴有柔性贴膜(6),柔性贴膜(6)的厚度为1~2mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,光子晶体结构材料(2)由GaAs与Al2O3周期排列组成,且光子 晶体结构材料(2)的底层为GaAs,表层为Al2O3。
4.根据权利要求3所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,GaAs的厚度为149nm,Al2O3的厚度为80nm,且光子晶体结构 材料(2)的结构周期为17。
5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,腔体(1)为球形腔体。
6.根据权利要求5所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,腔体(1)的半径为1000mm,激光入射口的半径为2.5mm,激光 出射口尺寸为20mm×20mm。
7.根据权利要求5所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,其 特征在于,两个腔体(1)上各设有三个激光入射口和一个激光出射口,其中 一个腔体(1)上三个激光入射口的方位为:天顶角60度,方位角0度;天 顶角120度,方位角120度;天顶角90度,方位角240度;激光出射口的方 位为:天顶角90度,方位角180度。
8.一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法,其特征在于,采用权利要 求1所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击设备,包括以下步骤:
步骤一:根据待加工工件(4)的尺寸,确定激光出射口处的挡板(7) 的尺寸,挡板(7)的尺寸大于工件(4)待加工面的尺寸;
步骤二:在工件(4)的待加工面贴上柔性贴膜(6);
步骤三:用夹紧装置(5)将待加工面贴有柔性贴膜(6)的工件(4)固 定在激光冲击设备中;
步骤四:根据待加工工件(4)材料特性确定激光器(3)的参数;
步骤五:关闭挡板(7),打开所有激光器(3);
步骤六:经过充能时间t1后,打开挡板(7),对工件(4)进行双面整 体激光冲击。
9.根据权利要求8所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法,其 特征在于,激光器(3)的参数包括:波长1064nm,脉宽10~30ns,激光脉 冲能量5~25J,光斑直径5mm。
10.根据权利要求8所述的一种基于光子晶体混强场的激光冲击方法, 其特征在于,充能时间t1为80~100s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610056249.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高温高压法浸取蛇纹石中氯化镁的方法
- 下一篇:一种驱动轴热处理生产装置