[发明专利]一种新型分布式存储缓存加速方法

说明书

技术领域

本发明专利涉及计算机存储领域。

背景技术

随着信息化的大爆炸以及数据成指数级增长，处理数据的存储系统采用传统的单控或双控制器架构时，业务处理能力远远无法完成海量数据的处理需求，而分布式存储系统很多时候都是牺牲一定的性能以确保数据的强一致性；固态盘的出现很好的解决了性能瓶颈的问题，但固态盘的价格居高不下，使得分布系统存储系统采用全固态盘的解决方案成本太高。

因此非常有必要设计一种新型分布式存储缓存的机制，应用于分布式存储系统以提升业务数据的读写和同步至其它分布式存储节点，以提升业务处理能力。

发明专利内容

本发明专利涉及一种新型分布式存储缓存加速方法，该方法是通过分布式存储节点内安装NVDIMM缓存，所有的数据通过NVDIMM缓存进行读写性能优化，可将随机的小块随机数据合并起来进行顺序的写入到后端磁盘存储，同时分布式节点间的数据也通过各节点的NVDIMM缓存间进行数据的同步，以提升数据同步的效率和性能，该方法利用NVDIMM缓存的高性能，以及NVDIMM有超级电容供电续电的特点，充分的提升了分布式存储的性能、且保护了数据在缓存内的安全，该方法的特征是要求分布式存储节点平台需支持NVDIMM产品和技术。

附图说明

图1为本发明专利的一种新型分布式存储缓存加速方法结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明专利的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明专利进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明专利，并不用于限定本发明专利。

请参阅图1，图1为本发明专利的一种新型分布式存储缓存加速方法结构示意图。

一种新型分布式存储缓存加速方法，其特征在于，该方法中的分布式存储节点1(12a)内需安装配置NVDIMM缓存(10a)，分布式存储节点2(12b)内需安装配置NVDIMM缓存(10b)，分布式存储节点3(12c)内需安装配置NVDIMM缓存(10c)，同时NVDIMM缓存(10a)需配备超级电容(13a)，NVDIMM缓存(10b)需配备超级电容(13ab)，NVDIMM缓存(10c)需配备超级电容(13c)。

一种新型分布式存储缓存加速方法，其特征在于，当数据块1(11a)、数据块2(11b)和数据块3(11c)有写入请求时，数据块1(11a)写入NVDIMM缓存(10a)后，NVDIMM缓存(10a)将数据块1(11a)同步写入NVDIMM缓存(10b)，同步完成后返回应用写完成；数据块2(11b)写入NVDIMM缓存(10b)后，NVDIMM缓存(10b)将数据块2(11b)同步写入NVDIMM缓存(10c)，同步完成后返回应用写完成；数据块3(11c)写入NVDIMM缓存(10c)后，NVDIMM缓存(10c)将数据块3(11c)同步写入NVDIMM缓存(10a)，同步完成后返回应用写完成。写入同步完成后，NVDIMM缓存(10a)会把数据块1(11a)和数据块3(11c)顺序写入分布式存储节点1(12a)内；NVDIMM缓存(10b)会把数据块1(11a)和数据块2(11b)顺序写入分布式存储节点2(12b)内；NVDIMM缓存(10c)会把数据块2(11b)和数据块3(11c)顺序写入分布式存储节点3(12c)内。

一种新型分布式存储缓存加速方法，其特征在于，分布式存储节点平台需支持NVDIMM产品和技术。

以上所述仅为本发明专利的较佳实施例而已，并不用以限制本发明专利，凡在本发明专利的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明专利的保护范围之内。