[发明专利]一种新型服务器存储缓存加速方法在审

专利信息
申请号: 201610056801.9 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN107015759A 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 胡敏 申请(专利权)人: 胡敏
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410004 湖南省长沙市天心区湘*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 服务器 存储 缓存 加速 方法
【说明书】:

技术领域

本发明专利涉及计算机领域,尤其涉及计算机的服务器和存储服务器。

背景技术

随着计算机行业服务器存储化、存储服务器化的趋同现象,国内外一些Sever-SAN的概念和应用增长迅猛,而不管理计算机行业服务器存储化还是存储服务器化,而服务器存储化后遇到一个挑战是缓存加速技术,一个合适的缓存加速技术,即可提供存储高速的业务响应能力,同时保障了缓存数据的安全可靠。

因此设计一种新型服务器存储缓存加速方法显得非常有必要。

发明专利内容

本发明专利涉及一种新型服务器存储缓存加速方法,该方法通过新型的NVDIMM缓存做为服务器存储缓存,以提供和高速缓存同级别的响应性能,同时NVDIMM缓存配置进电口,服务器存储可通过配置超级电容续电设备供NVDIMM工作,该方法的特征是服务器存储平台需支持NVDIMM产品、且仅适用于DDR4及DDR4之后的服务器存储平台。

附图说明

图1为本发明专利的一种新型服务器存储缓存加速方法结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明专利的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明专利进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明专利,并不用于限定本发明专利。

请参阅图1,图1为本发明专利的一种新型服务器存储缓存加速方法结构示意图。

一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,存储NVDIMM缓存(10)需安装于内存插槽(11)内,存储NVDIMM缓存(10)上设置有供电入口(12a),超级电容(12)安装于服务器存储(20)内,超级电容(12) 有一个供电入口(13b)和一个供电出口(12b),供电入口(13b)取电于服务器存储(20)内的供电出口(13a),供电出口(12b)接入为存储NVDIMM缓存(10)的供电入口(12a),以实现存储NVDIMM缓存(10)的正常续电工作。

一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,服务器存储(20)平台需支持存储NVDIMM缓存(10)。

以上所述仅为本发明专利的较佳实施例而已,并不用以限制本发明专利,凡在本发明专利的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明专利的保护范围之内。

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