[发明专利]一种大电容的容量及内阻测量装置及其测量方法有效
申请号: | 201610058028.X | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105510723B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 徐华中;汪赛力;张帆;张文雅;向云;欧阳剑坤;赵云;黄飞龙 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G01R27/02 |
代理公司: | 武汉荆楚联合知识产权代理有限公司 42215 | 代理人: | 王健 |
地址: | 430070 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大电容 信号调理器 内阻测量装置 充电过程 测量 电容 输出端 内阻 高精度测量 充电单元 存储电路 待测电容 电压曲线 电阻两端 冗余过程 双向连接 显示电路 输入端 | ||
一种大电容的容量及内阻测量装置及其测量方法,包括信号调理器(5),其特征在于:所述信号调理器(5)的输入端分别与AD采集电路(3)和AD转换电路(4)相连接,信号调理器(5)的输出端与MCU主控电路(7)的输入端相连接,MCU主控电路(7)的输出端与显示电路(6)相连接,MCU主控电路(7)与存储电路(8)双向连接,AD采集电路(3)和AD转换电路(4)分别与待测电容充电单元相连接,本发明利用大电容充电过程中已知电阻两端的电压曲线对电容容值和内阻进行计算,利用AD采集电路和AD转换电路进行高精度测量,在电容的充电过程中即可完成计算,没有其他冗余过程,能够快速、准确的计算出大电容的容值及内阻,测量精度得到了提高。
技术领域
本发明涉及一种容量及内阻测量方法,尤其涉及一种大电容的容量及内阻测量装置及其测量方法,属于电子测量技术领域。
背景技术
目前对于大容量的电容,对其容值及内阻的测量在电桥中无法实现。而在工程上又需要精确的容值及电阻来进行分析,现有针对大电容容量和内阻的测量装置结构复杂,容量和内阻需要分别单独进行,无法对电容和内阻进行同步测量,而且操作繁琐,计算量较大,而且测量精度较低,无法满足实际的测量需要。
中国专利公布号:CN104459338A,公告日为:2015年3月25日发明专利公开了一种电容容值测量装置及测量方法,设置有选通、RC电路、计时器和两个用于外接待电容的电极;所述选通电路首先切换至第一路参考电压对所述的已知电容和待测电容充电,待所述已知电容和待测电容充电结束后,切换至第二路参考电压与第一路参考电压的极性相反,控制所述已知电容和待测电容放电,并启动计时器计时,根据记录的放电时间计算出待测电容的量化时间值。但其无法对电容的内阻进行测量,且系统较为复杂,计算量较大,而且测量精度较低。
发明内容
本发明的目的是针对现有的大电容容量和内阻的测量装置结构复杂,容量和内阻需要分别单独进行,而且操作繁琐,计算量较大,而且测量精度较低的缺陷和不足,现提供一种结构紧凑,容量和内阻能够在电容充电的过程中进行同步测量,操作简便,计算量小,并且测量精度得到了提高的一种大电容的容量及内阻测量装置及其测量方法。
为实现上述目的,本发明的技术解决方案是:一种大电容的容量及内阻测量装置,包括信号调理器,所述信号调理器的输入端分别与AD采集电路和AD转换电路相连接,信号调理器的输出端与MCU主控电路的输入端相连接,MCU主控电路的输出端与显示电路相连接,MCU主控电路与存储电路双向连接,AD采集电路和AD转换电路分别与待测电容充电单元相连接,待测电容充电单元上设置有安放待测电容的安放位置,待测电容充电单元包括直流稳压电源、已知阻值的电阻以及待测电容接口,直流稳压电源的正极接电阻的一端,电阻的另一端接待测电容,待测电容与直流稳压电源负极的相连接。
一种大电容的容量及内阻测量方法,包括以下步骤:
a、首先连接好权利要求1所述大电容的容量及内阻测量电路,并将待测电容接入待测电容充电单元中;
b、为检测电路通电,使得待测电容开始充电,对于充电过程的每一时刻,均有式一:,根据充电原理,则有式二:,由KVL可得式三:,将以上三式联立可得出式四:,联立得到的运算式对于充电过程中的任意时刻均成立,式中即为AD的采样周期时间,其中为充电电阻,、分别为充点电阻两端电压,为待测电容两端电压,待测电容容值,为待测电容内阻;
c、取一具体时刻,用t来表示该时刻,则在t时刻,式四可写成以下式五:;
d、在t时刻之后再任意取一时刻,因为AD具有采样周期,每次采样到数据必定需要时间,所以所取时刻可用,其中来表示,此时,式四可用以下式六来表示:
;
e、因时刻t为任意取的时刻,同样间隔的时间,其中也具有任意性,故充电过程中的任意两个时刻,都可以用式五和式六来标示,联立式五和式六,求解可得式七:,式八:;
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