[发明专利]一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法

说明书

本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法。

背景技术

GOI测试是对MOS器件中栅氧化层的耐压性测试，如果GOI测试失效，则需进行GOI失效分析，从而找出GOI测试失效的原因。传统的GOI失效分析主要流程为：通过热点分析获取待分析样品GOI失效点的光学图片，将此光学图片与待分析样品的电子显微镜图片进行对比，对GOI失效点进行定位，再采用FIB制备TEM样品，进行TEM观察和元素分析获取GOI失效点异常物质的成分。但是，基于热点分析的GOI失效点定位将导致GOI失效点的进一步破坏，且定位精度只能达到3-5um，使后期采用FIB制备TEM样品费时。

发明内容

本发明目的是提供一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，解决现有技术中存在的上述问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种GOI失效点无损定位方法，包括如下步骤：

步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；

步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；

步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；

步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；

步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。

本发明的有益效果是：如果待分析样品存在GOI失效点，则GOI失效点的异常物质将待分析样品的salicide层与衬底导通，采用电子束照射预处理待分析样品的salicide层时，基于PVC法，salicide层由于与衬底导通处于低电势，在电子束照射下，其逸出的二次电子较多，则其会发亮；将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域，各个区域将不再导通，再次采用电子束照射各个区域时，只有下方存在GOI失效点的区域才能够与衬底导通产生低电势而发亮，从而将GOI失效点所处的位置范围进一步缩小；多次将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域，使GOI失效点所处的位置范围多次缩小，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时结束切割；本发明使GOI失效点的定位精度与切割精度相匹配，实现GOI失效点的高精度定位，使GOI失效分析方法中的TEM样品制作时长缩小，且便于制作高精确度的TEM样品，如3D TEM样品；并且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏，提高GOI失效分析的准确率和成功率。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述去除待分析样品的金属互连层采用机械研磨和/或化学刻蚀的方法。