[发明专利]一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器有效

专利信息
申请号: 201610060684.3 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN105743496B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 王子轩;胡善文;蔡志匡;吉新村;夏晓娟;周波;郭宇峰 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 田凌涛
地址: 210023 江苏省南京市亚东新城区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 工作 阈值 电源 压下 数控 振荡器
【权利要求书】:

1.一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器,其特征在于:包括DCO振荡电路和自举型缓冲器,其中,DCO振荡电路的两个输入端分别外接输入电流与调谐控制字OTW;DCO振荡电路的DCOp差分振荡信号输出端与自举型缓冲器的DCOp差分振荡信号输入端相连接,DCO振荡电路的DCOn差分振荡信号输出端与自举型缓冲器的DCOn差分振荡信号输入端相连接;其中,自举型缓冲器包括第一PMOS晶体管Mp1、第二PMOS晶体管MP2、第三PMOS晶体管MP3、第四PMOS晶体管MP4、第一NMOS晶体管MN1、第二NMOS晶体管MN2、第三NMOS晶体管MN3、第四NMOS晶体管MN4、第一自举电容CP1、第二自举电容CP2、第三自举电容CN1和第四自举电容CN2,其中:

自举型缓冲器的DCOp差分振荡信号输入端分别接第二自举电容CP2的上极板、第三自举电容CN1的上极板、第二PMOS晶体管MP2的栅极和第二NMOS晶体管MN2的栅极;自举型缓冲器的DCOn差分振荡信号输入端分别接第一自举电容CP1的上极板、第三自举电容CN1的上极板、第四PMOS晶体管MP4的栅极和第四NMOS晶体管MN4的栅极;

第一PMOS晶体管Mp1的源极接电源Vdd;第一PMOS晶体管Mp1的漏极与第一自举电容CP1的下极板、第二PMOS晶体管MP2的源极相连接;第二PMOS晶体管MP2的漏极与第二NMOS晶体管MN2的漏极相连接;第二NMOS晶体管MN2的源极与第三自举电容CN1的下极板、第一NMOS晶体管MN1的漏极相连接;第一NMOS晶体管MN1的源极接地;

第三PMOS晶体管MP3的源极接电源Vdd;第三PMOS晶体管MP3的漏极与第二自举电容CP2的下极板、第四PMOS晶体管MP4的源极相连接;第四PMOS晶体管MP4的漏极与第四NMOS晶体管MN4的漏极相连接;第四NMOS晶体管MN4的源极与第四自举电容CN2的下极板、第三NMOS晶体管MN3的漏极相连接;第三NMOS晶体管MN3的源极接地;

第一PMOS晶体管Mp1的栅极作为自举型缓冲器的OUTn差分振荡信号输出端,并与第一NMOS晶体管MN1的栅极、第四PMOS晶体管MP4的漏极、第四NMOS晶体管MN4的漏极相连接;第三PMOS晶体管MP3的栅极作为自举型缓冲器的OUTp差分振荡信号输出端,并与第三NMOS晶体管MN3的栅极、第二PMOS晶体管MP2的漏极、第二NMOS晶体管MN2的漏极相连接。

2.根据权利要求1所述一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器,其特征在于:所述DCO振荡电路为LC交叉耦合结构振荡器。

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