[发明专利]LTPS阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种LTPS阵列基板的制作方法，通过采用一道半色调光罩将NMOS区的第一多晶硅层的N型重掺杂与沟道掺杂、及PMOS区的第二多晶硅层的P型重掺杂这三道原本需要三道光罩的制程整合到一道光罩制程中，节省两道曝光制程，大大提升曝光产能，同时节省了两张光罩的制作成本，可有效降低LTPS阵列基板的制作成本，制得的LTPS阵列基板具有良好的电学性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。

低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是广泛用于中小电子产品中的一种液晶显示技术。传统的非晶硅材料的电子迁移率约0.5-1.0cm²/V.S，而低温多晶硅的电子迁移率可达30-300cm²/V.S。因此，低温多晶硅液晶显示器具有高解析度、反应速度快、高开口率等诸多优点。

但是另一方面，由于LTPS半导体器件的体积小、集成度高，所以整个LTPS阵列基板的制备工艺复杂，生产成本较高。

如图1-6所示，为现有的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)LTPS阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、如图1所示，提供一基板100，在所述基板100上定义出NMOS(Negativechannel Metal Oxide Semiconductor，N型金属氧化物半导体)区与PMOS(Positivechannel Metal Oxide Semiconductor，P型金属氧化物半导体)区；在所述基板100上沉积第一金属层，采用光刻制程对所述第一金属层进行图形化处理，得到位于NMOS区的遮光(Light Shield)层200；

步骤2、如图2所示，在所述基板100上依次沉积缓冲层300与非晶硅(a-Si)层，通过准分子激光退火工艺(ELA)将所述非晶硅(a-Si)层转化为多晶硅(poly-Si)层，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图形化处理，得到位于NMOS区的第一多晶硅层410、及位于PMOS区的第二多晶硅层420；

步骤3、如图3所示，在所述第一多晶硅层410、第二多晶硅层420、及缓冲层300上涂布第一光阻层510，利用光罩对第一光阻层510进行曝光、显影后，对NMOS区的第一多晶硅层410进行沟道(Channel)掺杂；

步骤4、如图4所示，在所述第一多晶硅层410、第二多晶硅层420、及缓冲层300上涂布第二光阻层520，利用光罩对第二光阻层520进行曝光、显影后，对NMOS区的第一多晶硅层410的两端进行N型重掺杂；

步骤5、如图5所示，在所述第一多晶硅层410、第二多晶硅层420、及缓冲层300上依次沉积栅极绝缘层600和第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，得到分别对应于第一多晶硅层410与第二多晶硅层420上方的第一栅极710与第二栅极720；以第一栅极710为掩模对所述第一多晶硅层410进行N型轻掺杂；