[发明专利]耐等离子刻蚀陶瓷体及其制造方法、等离子刻蚀设备

权利要求书

1.一种耐等离子刻蚀陶瓷体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取纳米氧化铝粉体；所述氧化铝粉体中含有不可避免的杂质成分，且所述杂质成分的质量含量不大于0.001％，或所述氧化铝的质量含量不低于99.999％；

将所述纳米氧化铝粉体进行模压处理后置于保护性气氛中进行烧结处理；

所述氧化铝粉体的平均粒度为200纳米，所述模压处理的条件为：采用高速压制成型的方法，所述高速压制成型的压制压力为650-1000MPa，压制速度为5-9m/s，且经过多次连续压制，相邻两次的所述压制间隔时间为0.3-0.5秒；

所述模压处理所用的模具内壁或内壁以及上、下模冲头涂布有润滑剂；

所述烧结处理的温度为1500-1700℃下，时间为2-5小时。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述烧结处理是以5℃/min升温速度先加热到1300℃，保温1小时；然后2℃/min升温速度加热到1600℃进行烧结，保温2小时。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：经烧结处理后所得的耐等离子刻蚀陶瓷体的密度为3.96-3.99g/cm³。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法制备的耐等离子刻蚀陶瓷体为等离子刻蚀设备腔体内设置的氧化铝陶瓷部件。

5.一种等离子刻蚀设备，其特征在于：所述等离子刻蚀设备的刻蚀腔体内设有氧化铝陶瓷部件，所述氧化铝陶瓷部件为由权利要求1-4任一项所述制备方法制备的耐等离子刻蚀陶瓷体。