[发明专利]一种基于标准工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构

权利要求书

1.一种基于标准CMOS工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构，所述的双PN结型单光子雪崩二极管的结构特征是：P型硅衬底（4）上方设有深N阱（3），p型衬底通过重掺杂P型区域（1）以及p阱区域（2）连接电极（11），形成欧姆接触，深N阱（3）和P型衬底（4）之间形成一个PN结（13）；深N阱（3）内包含一个P阱区域（2），P阱（3）通过重掺杂P型区域（1）连接到电极（9）；深N阱（3）通过N阱（6）以及重掺杂N型区域（5）连接到电极（10），形成欧姆接触；深N阱（3）和其内部包含的P阱（2）形成一个PN结（12）；PN结（12）和（13）形成本发明提出的双PN结单光子雪崩二极管的两个感光区；在电极（9）、（10）和（11）上施加适当的电压，使PN结（12）和（13）工作在盖革模式下，从而形成单光子雪崩二极管的两个倍增区，实现对光子信号的探测。

2.根据权利要求1所述的双PN结型单光子雪崩二极管结构，其特征在于，一个单光子雪崩二极管同时包含两个PN结，两个PN结依次分布在纵向，形成对不同波长入射光信号的探测区域。