[发明专利]射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于：射频功率放大器集成于同一芯片上，所述射频功率放大器包括：输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大电路、输出匹配网络、第一偏置电路和第二偏置电路；

所述输入匹配网络连接于射频信号输入端和所述第一级放大电路的输入端之间；所述级间匹配网络连接于所述第一级放大电路的输出端和所述第二级放大电路的输入端之间；所述输出匹配网络连接于所述第二级放大电路的输出端和射频信号输出端之间；

所述第一级放大电路包括共射极连接的第一锗硅异质结双极型晶体管，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极和电源电压之间连接有第一扼流电感，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极作为所述第一级放大电路的输入端，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极作为所述第一级放大电路的输出端；所述第一偏置电路提供偏置电压到所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极；

所述第二级放大电路包括共射极连接的第二锗硅异质结双极型晶体管，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极和电源电压之间连接有第二扼流电感，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的基极作为所述第二级放大电路的输入端，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极作为所述第二级放大电路的输出端；所述第二偏置电路提供偏置电压到所述第二锗硅异质结双极型晶体管的基极。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述第一偏置电路和所述第二偏置电路都采用相同结构自适应偏置电路，该自适应偏置电路包括：第三锗硅异质结双极型晶体管、第四锗硅异质结双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容；

所述第三锗硅异质结双极型晶体管的集电极连接电源电压，所述第一电阻连接于所述第三锗硅异质结双极型晶体管的集电极和基极之间，所述第二电阻连接于所述第三锗硅异质结双极型晶体管的发射极和所述第四锗硅异质结双极型晶体管的基极之间；

所述第一电容连接于所述第四锗硅异质结双极型晶体管的集电极和发射极之间，所述第四锗硅异质结双极型晶体管的集电极和所述第三锗硅异质结双极型晶体管的基极连接，所述第四锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地；

所述第三电阻的第一端连接所述第三锗硅异质结双极型晶体管的发射极，所述第三电阻的第二端为偏置电压的输出端。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：在所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极和集电极之间串联有第四电阻和第二电容。

4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述输入匹配网络为T型匹配网络。

5.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述输出匹配网络为T型匹配网络。

6.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述级间匹配网络为T型匹配网络。

7.如权利要求1或4所述的射频功率放大器，其特征在于：在所述射频信号输入端和所述输入匹配网络之间设置有隔直电容且为所述输入匹配网络一部分。

8.如权利要求1或5所述的射频功率放大器，其特征在于：在所述输出匹配网络和所述射频信号输出端之间设置有隔直电容且为所述输出匹配网络的一部分。

9.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述第一锗硅异质结双极型晶体管和所述第二锗硅异质结双极型晶体管都为多插指发射极结构，用于提高所述第一锗硅异质结双极型晶体管和所述第二锗硅异质结双极型晶体管的电流处理能力。