[发明专利]沟槽型超级结的制造方法有效
| 申请号： | 201610064085.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105575781B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 角度修正 深沟槽 膜层 形貌 超级结 沟槽型 侧壁 填充 反向击穿电压 保护膜层 刻蚀工艺 上厚下薄 填充性能 垂直的 硅片 淀积 刻蚀 制造 取出 垂直 | ||
1.一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
一.在硅片的N型外延层表面形成ONO介质层；
二.利用光刻先定义出深沟槽的图形，然后利用干法刻蚀将所述ONO介质层刻开；之后去除光刻胶，利用ONO介质层作为硬掩膜进行深沟槽的刻蚀，深沟槽上宽下窄，深沟槽的侧壁同硅片表面的夹角在87～89.5度之间；之后淀积角度修正膜层，在深沟槽侧壁上形成上厚下薄的角度修正膜层；
三.分别对深沟槽两侧的侧壁进行倾斜P型离子注入；
四.去除角度修正膜层及ONO介质层的上部氧化层及氮化层，保留ONO介质层的下部氧化层；
五.利用外延填充工艺,在所述深沟槽中填充P型外延层；之后去除深沟槽外部的P型外延层，去除ONO介质层的下部氧化层；
六.利用后续工艺流程汇总的热过程激活步骤三注入的P型离子。
2.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
步骤一中，N型外延层的厚度为15～60um。
3.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
步骤一中，所述ONO介质层的氮化层上部氧化层厚度为100～2000埃，氮化层厚度为100～1500埃，氮化层下部氧化层厚度为0.5～3um。
4.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
所述角度修正膜层为氧化硅膜层或氮化硅膜层。
5.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
所述氧化硅膜层为TEOS OX。
6.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
所述角度修正膜层的厚度为0.3～2um。
7.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
步骤三中，对深沟槽两侧的侧壁注入的P型离子为B。
8.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
步骤四中，利用湿法去除角度修正膜层及ONO介质层的上部氧化层及氮化层。
9.根据权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，
步骤五中，利用化学机械研磨工艺去除深沟槽外部的P型外延层，利用湿法去除ONO介质层的下部氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
