[发明专利]检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法在审
| 申请号： | 201610064110.3 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105549335A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰;顾以理;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 光刻 机上晶圆 边缘 图形 方法 | ||
1.一种检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于，包括如下步骤：
第1步，制造一块光刻掩模版，所述光刻掩模版具有若干规则排列的单一规则图形；
第2步，在光刻机上利用所述光刻掩模版曝光若干枚晶圆；
第3步，在光学显微镜下检查晶圆边缘并判断边缘是否有图形失像的情况，如出现 图形失像的情况，判断图形失像影响的大小及位置。
2.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 在第3步后，进一步利用扫描电子显微镜检测晶圆边缘的图形失像情况。
3.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的单一规则图形为相同尺寸的对称图形。
4.根据权利要求3所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的对称图形包括正方形、圆形、长方形。
5.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的规则图形以1：1比例间隔排列。
6.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 第2步中采用的所述晶圆的表面平整度小于0.6um。
7.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 在第2步中，设定不同的光刻条件对晶圆进行曝光。
8.根据权利要求7所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 所述光刻条件包括光刻胶、能量、光照模式。
9.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 在第2步中，设定不同的曝光位置对晶圆进行曝光。
10.根据权利要求1所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版的尺寸介于光刻机所用掩膜版的最大允许尺寸和最小允许尺寸之间。
11.根据权利要求2所述的检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法，其特征在于， 利用扫描电子显微镜检测晶圆是否出现倒胶、图像削尖或图像缺失的缺陷。
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