[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；

支撑构件，所述支撑构件在所述发光结构层下面；以及

多个导电层，所述多个导电层在所述发光结构层和所述支撑构件之间，

其中，所述多个导电层包括在所述第二导电类型半导体层下面的第一导电层、在所述第一导电层下面的第二导电层、在所述第二导电层下面的第三导电层、以及在所述第三导电层下面的第四导电层；

其中，所述支撑构件被布置在所述第四导电层下面，

其中，所述第三导电层包括第一接触部分和第二接触部分，所述第一接触部分接触第二导电类型半导体层的下表面，所述第二接触部分被布置为进一步从所述发光结构层的侧壁向外，

其中，所述第三导电层的第二接触部分被布置在所述发光结构层的下表面周围，以及

其中，所述第一接触部分接触具有比所述第一导电层的接触电阻大的接触电阻的第二导电类型半导体层。

2.一种发光器件，包括：

发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；

支撑构件，所述支撑构件在所述发光结构层下面；

多个导电层，所述多个导电层在所述发光结构层和所述支撑构件之间；

电流阻挡层，所述电流阻挡层在所述发光结构层和所述多个导电层之间；以及

保护构件，所述保护构件被布置在所述发光结构层的下表面的外围区域上，

其中，所述多个导电层中的一个具有被布置成进一步从所述发光结构层的侧壁向外的接触部分，

其中，所述接触部分被布置在所述发光结构层的下表面周围，

其中，所述电流阻挡层具有孔，并且所述多个导电层中的一个被布置在所述电流阻挡层的孔中，以及

其中，所述保护构件的内部分接触所述第二导电类型半导体层的下表面。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述支撑构件包括绝缘支撑构件或者导电支撑构件。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一接触部分通过所述第一和第二导电层来物理地接触所述第二导电类型半导体层的下表面。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一和第二导电层具有孔并且所述第一接触部分被布置在所述孔中。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一电极被布置在所述第一导电类型半导体层的一部分上，以及

其中，所述第三导电层的第一接触部分垂直地重叠所述第一电极。

7.根据权利要求4至6中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层中的每一个具有比所述第三导电层的宽度小的宽度。

8.根据权利要求4至6中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第二接触部分的一部分接触所述第二导电类型半导体层的下表面的边缘。

9.根据权利要求4至6中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括反射层以及光提取图案被布置在所述发光结构层的顶表面上。

10.根据权利要求9所述的发光器件，包括在所述发光结构层的侧表面上的绝缘层，

其中，在所述第三导电层的侧表面与所述发光结构层的侧壁之间的距离大于所述绝缘层的厚度。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述绝缘层被布置在所述光提取图案上。