[发明专利]一种极高靶材利用率的镀膜设备

权利要求书

1.一种极高靶材利用率的镀膜设备，包括真空室，其特征在于，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，所述管状靶材设置在所述真空室内，所述偏压电源、所述直流线圈电源和所述镀膜电源均设置在所述真空室外，所述管状靶材上缠绕有水冷线圈，所述管状靶材的上方设置有第一工件台，所述管状靶材的下方设置有第二工件台，所述偏压电源与所述第一工件台连接，所述偏压电源通过所述第一工件台向样品加载负偏压，所述管状靶材内部的电子受电场的作用加速向样品运动，所述直流线圈电源与所述水冷线圈连接，所述直流线圈电源与所述线圈水冷系统开启后施加与电场方向正交的磁场，电子在电场力与洛伦兹力的共同作用下在管内做螺旋运动，所述镀膜电源与所述管状靶材连接，开启所述镀膜电源，向所述管状靶材施加一个大于样品的负偏压，使Ar⁺加速向管壁轰击，将靶材原子溅射出来。

2.如权利要求1所述的极高靶材利用率的镀膜设备，其特征在于，所述真空室的上端设置有进气孔，所述进气孔与所述进气装置连接，进气装置通过进气孔向所述真空室中充入工作气体Ar，使其到达合适的真空度。

3.如权利要求2所述的极高靶材利用率的镀膜设备，其特征在于，所述真空室的底端设置有抽气孔，所述抽气孔与所述抽气装置连接，所述抽气装置对所述真空室进行抽气，所述真空室达到本体真空程度。

4.如权利要求3所述的极高靶材利用率的镀膜设备，其特征在于，所述水冷线圈包括线圈和线圈水冷系统 。

5.如权利要求4所述的极高靶材利用率的镀膜设备，其特征在于，所述第二工件台上设置有卷绕机构，所述卷绕机构自动缠绕安装在工件台上的镀膜结束的工件，使工件在所述管状靶材中连续镀膜。

6.如权利要求5所述的极高靶材利用率的镀膜设备，其特征在于，所述线圈为电磁线圈，所述电磁线圈为永磁体。