[发明专利]闪存存储器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存存储器及其制作方法，特别是涉及一种写入模式时不需用到控制栅极的闪存存储器及其制作方法。

背景技术

近来，闪存存储器由于兼具高密度、低成本、可重复写入及电可抹除性等优点，已成为非挥发性存储器的主流，并被广泛的应用于各式可携式电子产品中。

闪存存储器由于具有不因电源供应中断而造成储存数据遗失的特性，且又具有重复写入以及可被电抹除等优点，因此近年来被广泛使用在移动电话(mobile phone)、数字相机(digital camera)、游戏机(video player)、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)等电子产品中。

然而，随着记忆容量的提升，需要增加闪存存储器元件的集成度，例如缩小闪存存储器浮置栅极、控制栅极等元件的厚度。当闪存存储器元件的特征尺寸(feature size)减少时，闪存存储器元件的一些重要特性会变得较差，例如写入速度和抹除速度等。据此，需要改善闪存存储器元件的制作方式和结构，以同时提升其集成度以及操作效能。

发明内容

依据本发明的第一较佳实施例，本发明提供一种闪存存储器的制作方法，包含首先提供一基底其上依序覆盖有一第一氧化层、一第一多晶硅层、一第二氧化层和一图案化掩模，其中图案化掩模具有二开口使得第二氧化层由各个开口曝露出来，接着以图案化掩模为掩模移除部分的第二氧化层和第一多晶硅层，以在第一多晶硅层中形成二个第一沟槽，其中第一沟槽各包含一侧壁，各个侧壁不和基底的上表面垂直，然后形成一第三氧化层填入各个第一沟槽以及各个开口，并且使得第三氧化层的上表面和图案化掩模的上表面切齐，之后，完全移除图案化掩模以及位于图案化掩模正下方的第二氧化层和第一多晶硅层以形成一第二沟槽，并且使得剩余的第一多晶硅层和剩余的第三氧化层共同构成二个堆叠结构，其中在各个堆叠结构中的第一多晶硅层包含二个锐角，接着移除部分的堆叠结构中的第三氧化层以扩大第二沟槽并且使得在各个堆叠结构中的各个锐角完全曝露出来，接续形成一第四氧化层顺应地覆盖各个锐角，之后形成一第二多晶硅层填入第二沟槽，再在各个堆叠结构中各形成一第三沟槽穿透第三氧化层和第一多晶硅层，然后形成一第五氧化层覆盖第二多晶硅层和第一多晶硅层，接着形成二个第三多晶硅层分别填满各个第三沟槽，最后形成二个第四沟槽穿透各个第三多晶硅层。

依据本发明的第二较佳实施例，本发明的一种闪存存储器结构，包含：一基底，一堆叠栅极设置于基底上，堆叠栅极包含一抹除栅极以及二浮置栅极，其中各个浮置栅极分别位于抹除栅极的相对两侧，并且各个浮置栅极各具有一第一锐角延伸至抹除栅极的下方并且各个第一锐角与该抹除栅极重叠，二个选择栅极位于堆叠栅极的二侧，一穿隧氧化层位于堆叠栅极和基底之间以及各个选择栅极和基底之间，一栅极间氧化层位于抹除栅极和各个浮置栅极之间以及各个选择栅极和抹除栅极之间以及一第一掺杂区位于抹除栅极下方的基底内，并且第一掺杂区部分和各个浮置栅极重叠。

附图说明

图1至图13为依据本发明的第一较佳实施例所绘示一种闪存存储器的制作方法；

图2A为依据第一较佳实施例所绘示的第一沟槽的侧壁；

图2B为依据第二较佳实施例所绘示的第一沟槽的侧壁；

图14为依据本发明的第一较佳实施例所制作的闪存存储器。

主要元件符号说明

10 基底12 浅沟槽隔离

14 浅沟槽隔离16 第一氧化层

18 第一多晶硅层20 第二氧化层

22 图案化掩模24 开口

26 第一沟槽28 侧壁

30 第三氧化层32 第二沟槽

34 堆叠结构36 锐角

38 第一掺杂区40 第四氧化层

42 第二多晶硅层44 第三沟槽

46 第五氧化层48 第六氧化层

50 第三多晶硅层52 掩模层

54 牺牲层56 第四沟槽

58 第二掺杂区60 源极/漏极掺杂区

62 位线80 基底

82 堆叠栅极84 抹除栅极

86 浮置栅极88 锐角

90 选择栅极92 穿隧氧化层

94 栅极间氧化层96 第一掺杂区

98 第二掺杂区100闪存存储器

102位线104第一部分

106第二部分108锐角