[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池在审
申请号: | 201610065201.9 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105552170A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 佛山市聚成生化技术研发有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0288 |
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地址: | 528051 广东省佛山市禅城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电池的制备方法,具体地说,涉及一种太阳能电 池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池。
背景技术
随着新世纪的到来,全球经济呈飞速发展的势态,人类对能源的需 求量持续增加,化石燃料的大量使用,导致了能源迅速短缺、环境污染 日益加剧,全球面临着一个严峻的事实:能源问题己成为经济发展的热 点和难点。目前,传统能源短缺和环境污染成为了制约经济发展的主 要问题,寻找无污染的能源变得越来越迫切。太阳能是氢核聚变反应 产生的一种能量,且能量相当巨大,每秒钟照射在地球上的能量可相 当于燃烧500万吨标准煤所产生的热量,而且,预计太阳的辐射输出 的能量在100亿年内可近似保持恒定,可以说是无限的能源,因此, 太阳能作为一种洁净的可再生能源,受到了越来越多的重视。预测显 示,太阳能在整个能源结构中所占据的比例会在2050年上升至20%, 在2100年上升至70%。由此可见,能源结构在21世纪会有重大改变, 太阳能也会成为主要能源。
太阳能的利用方式有多种,它可转化为化学能、热能和电能等等, 其中太阳能转化为电能也称为太阳能光电转化,也即是光伏发电技 术。太阳能电池即是将太阳能转化为电能的器件。太阳能电池是利用 半导体材料的光生伏特效应制成的,太阳能电池材料主要有:半导体 材料,化合物材料,纳米材料等。从半导体材料使用的形态来看,有 晶片、薄膜、外延片。太阳能电池按其材料形态分可以分成块状太阳 能电池和薄膜太阳能电池二大类。
自从法国科学家贝克勒尔于1839年发现了液体的光生伏特效应, 太阳能电池的发展历史已有了170多年。1954年,美国贝尔实验室研 制出第一块实用型单晶硅太阳能电池,虽然效率仅有6%,但从此拉开 了太阳能电池研究与开发的序幕。经过多年来的研究与发展,太阳能 电池以其无可比拟的先天优势,越来越受到全球的重视。上世纪80年 代起,我国就开始开发并生产太阳能电池,国家也在大力推广独立光伏 系统在西部无电地区的应用,并实施了乡乡通和光明工程等工程,对发 展我国光伏产业、提高我们光伏技术水平都起到了很好的推动作用。 近年来,我国也将太阳能电池的发展放在973和863等重大项目中的 重要位置,在“十五”科技攻关计划中,对光伏项目也作了重大的安排。 自2003年起,我国太阳能电池产业增长加快,生产太阳能电池片、太阳 能电池组件的企业如雨后春笋般出现在神州大地,我国的太阳能电池 工业进入了一个快速发展的阶段。
中国专利CN101414643公开了一种太阳能电池装置,该装置包 括一个第一太阳能电池板、一个第二太阳能电池板以及至少一个导光 组件。第一太阳能电池板包括一个受光面、一个与受光面相对的背面、 以及至少一个贯穿受光面与背面的通孔;第二太阳能电池板设置在第 一太阳能电池板的背面一侧且与第一太阳能电池板间隔一定距离;所 述至少一个导光组件分别贯穿与其对应的通孔,其分别包括一个光发 散单元及一导光体,光发散单元用以接收从第一太阳能电池板的受光 面一侧入射至其上的太阳光,导光体用以将光发散单元接收的太阳光 传导至第二太阳能电池板。该太阳能电池装置将多个太阳能电池板层 叠设置并且经由导光组件可传导太阳光至下一层太阳能电池板上进 行光电转换,从而可节约铺设面积。
中国专利CN102117815A公开了一种太阳能电池组件及其制备 方法,该太阳能电池组件包括多个太阳能电池,每个太阳能电池包括 依次叠设的透明导电膜、太阳能电池层和金属背电极,相邻的太阳能 电池通过激光划刻工艺相互串联,其中,还包括:至少一条第四道激 光划线,第四道激光划线贯通金属背电极、太阳能电池层和透明导电 膜,断开相邻的太阳能电池,形成至少两个独立的电池单元,电池单 元由串联的太阳能电池构成。本发明通过第四道激光划线,将太阳能 电池组件分割成多个独立的电池单元,使每个电池单元包括规定数量 的串联的太阳能电池,从而能获得所需要的工作电压以及电流。
现有太阳能电池的光电转化效率低,仅为12%左右,而光电转化 率低一直是限制太阳能电池发展的瓶颈。
发明内容
为了解决现有技术存在的上述问题,本发明提供了一种太阳能电 池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池,本发明的方法制备的太 阳能电池光电转化率高。
本发明所采用的技术方案为:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的