[发明专利]三轴AMR磁力传感器的制造方法

权利要求书

1.一种三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在衬底上形成第一绝缘层；

步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一绝缘层中形成沟槽，后续Z轴AMR磁力传 感器会形成于所述沟槽中；

步骤三、在所述沟槽的底部表面、侧面以及所述沟槽外的所述第一绝缘层表面形 成第二侧壁修复层，通过形成所述第二侧壁修复层对步骤二的刻蚀工艺在所述沟槽的 侧壁表面和底部表面造成的损伤进行修复，从而提高所述沟槽的侧壁表面和底部表面 光滑度并使后续形成于所述沟槽的侧壁表面的所述Z轴AMR磁力传感器的磁性改善；

步骤四、在所述沟槽的底部表面、侧面以及所述沟槽外的所述第二侧壁修复层表 面形成第三介质隔离层；

步骤五、在所述第三介质隔离层表面形成具有各向异性磁电阻的磁性材料层；

步骤六、采用光刻刻蚀工艺对所述磁性材料层进行刻蚀并同时形成三轴AMR磁力 传感器的X轴AMR磁力传感器、Y轴AMR磁力传感器和Z轴AMR磁力传感器,所述X 轴AMR磁力传感器和所述Y轴AMR磁力传感器位于所述沟槽外的所述第三介质隔离层 表面，所述Z轴AMR磁力传感器位于所述沟槽侧壁的所述第三介质隔离层表面。

2.如权利要求1所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述磁性 材料层为铁镍合金层。

3.如权利要求1所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述第一 绝缘层为氧化硅层。

4.如权利要求1或2所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述 第二侧壁修复层为氧化硅层。

5.如权利要求4所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述第二 侧壁修复层的厚度小于等于500埃。

6.如权利要求1或2所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述 第三介质隔离层为氮化硅层。

7.如权利要求1所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：步骤五中 形成所述磁性材料层之后还包括在所述磁性材料层表面形成保护层的步骤，之后对所 述磁性材料层和所述保护层进行退火，步骤六中采用光刻刻蚀工艺依次对所述保护层 和所述磁性材料层进行刻蚀同时形成所述三轴AMR磁力传感器。

8.如权利要求1所述三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于：所述磁性 材料层为铁镍合金层，所述保护层为氮化钽层。