[发明专利]化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在半导体集成电路的单元区域进行光刻、刻蚀形成注入工艺层时，利用光刻和刻蚀在半导体集成电路的光刻对准标记区域打开前层的光刻对准标记；

具体包括如下步骤：

步骤1，利用化学机械抛光工艺将半导体集成电路中浅沟槽隔离形成的氧化层磨平至氮化层；

步骤2，在半导体集成电路的氮化层表面形成光刻胶阻挡层，利用光刻、刻蚀在单元区域内形成注入工艺层，同时利用光刻和刻蚀工艺在光刻对准标记区域打开前层的光刻对准标记；

步骤3，去除单元区域和光刻对准标记区域的氮化层，在半导体集成电路表面先淀积介质膜，再淀积多晶硅，形成后续光刻工艺使用的对准标记。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，其特征在于，步骤1中，在化学机械抛光后的半导体集成电路表面的氮化层上先淀积氧化层，然后再进行步骤2，在氧化层上形成光刻胶阻挡层并进行光刻、刻蚀工艺。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述步骤3中的介质膜和多晶硅属于后续工艺的淀积层的两种，所述淀积层必须包含不透光的材质或者透光率小于单晶硅的材质。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述化学机械抛光包括表面平坦化的CMP工艺、浅沟槽隔离的CMP工艺。