[发明专利]一种通过光学量测检测制品最佳焦距的方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅片检测领域，特别是涉及一种通过光学量检测制品最佳 焦距的方法。

背景技术

现有的通过CD-SEM(关键尺寸扫描电子显微镜)量测CD(关键尺寸) 的方法数据收集过程耗时较多；扫描电子显微镜在量测关键尺寸时需要在 光学显微镜和电子显微镜间来回切换，且电子显微镜的对焦过程十分缓慢， 正常情况下量测200个关键尺寸点需要耗时40分钟。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种通过光学量检测制品最佳焦距的 方法，能有效缩短量测CD(关键尺寸)的时间。

为解决上述技术问题，本发明的一种通过光学量检测制品最佳焦距的 方法是采用如下技术方案实现的：

采用KTArcher10型OVL(重合精度)量测机台，测量掩膜版所搭载 的OVLmark(重合精度标记)图形的对角点间的距离。

采用本发明的方法能够快速准确量测FEM(焦距和能量矩阵)，这样能 够有效缩短FEMwafer(焦距和能量矩阵硅片)的数据收集时间。例如，采 用KTArcher10型OVL量测机台，量测200点CD(关键尺寸)仅需要8 分钟，而现有技术在正常情况下则需要40分钟。

另外，采取对角量测的方法能够得到表征CD随focus(焦距)变化的 二次曲线，通过求二次曲线顶点位置可以得到最佳焦距。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是重合精度标记随焦距变化产生形变的示意图；

图2是实际重合精度标记的尺寸及量测角度示意图。

具体实施方式

为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面 将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。

所述一种通过光学量检测制品最佳焦距的方法，在下面的实施例中， 是这样实现的：

1、使用光刻机进行传统的光刻机焦距步进式曝光方式曝光，即focus (焦距)以逐个单次曝光区域递增的方式曝光。

所有掩膜版均搭载有可被KTArcher10型OVL量测机台光学显微镜量 测的OVLmark(重合精度标记)图形。

2、在OVL量测机台上对每个曝光单次曝光区域的OVLmark图形进行 量测。OVLmark图形为10μmX10μm正方形。就是说，测量的是OVLmark 图形，而不是传统的测量CD(关键尺寸)图形来监控制品的最佳焦距。

测量时，量测注意选择OVLmark图形的对角点间的距离，进行45度 对角量测。而不是量测OVLmask图形的对边距离,硅片放置平台的旋转角 度为45度。

KTArcher10型OVL量测机台有旋转硅片放置平台角度量测的功能， 使得对角线量测成为可能。

3、进行数据收集。

重合精度标记图形随焦距变化产生形变可参见图1,重合精度标记图形 的直角随着曝光时焦距偏离最佳焦距而逐渐成为圆角，变化的趋势随焦距 的偏离程度呈二次曲线关系。

再参见图2，旋转硅片放置平台45度后即可进行量测OVLmark图形 的对角点间的距离。

以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成 对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可 做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。