[发明专利]一种单面制绒的金刚线切割多晶硅片及其制绒方法

权利要求书

1.一种金刚线切割多晶硅片的单面制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)取金刚线切割多晶硅片，将所述硅片以两两相并的方式插入到硅片篮的同一槽内，将带有硅片的硅片篮置于含有氢氟酸、双氧水、硝酸银及水的混合液中进行腐蚀2～8min，制得含孔状结构的硅片；其中，所述腐蚀为梯度腐蚀，具体为：先将所述硅片置于HF、H₂O₂、AgNO₃的摩尔浓度分别为3-4.2mol/L、5.5-7mol/L及0.012-0.02mmol/L的第一混合液中进行一次腐蚀2～5min；再置于HF、H₂O₂、AgNO₃的摩尔浓度分别为2.5-3mol/L、4-5.5mol/L及0.01-0.015mmol/L的第二混合液中进行二次腐蚀1～3min；

(2)将上述含孔状结构的硅片先置于碱性溶液进行碱处理、再置于硝酸溶液中进行酸处理，在所述硅片的一面制得具有微缺陷的表面结构层；

(3)将经过上述处理的硅片进行常规制绒，并经水洗、干燥后得到单面制绒的金刚线切割多晶硅片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱处理中，所述碱性溶液的质量分数为5～10％，碱处理的温度25～40℃，碱处理的时间为3～6min。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸处理中，所述硝酸溶液的质量分数为10～30％，酸处理的时间为4～6min。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述硅片插入硅片篮之前，还包括：将所述硅片进行清洗预处理，以去除所述硅片表面的杂质及线痕。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗预处理包括：

将所述硅片放入碱性溶液中进行碱清洗，之后将所述硅片在氢氟酸溶液中进行酸清洗，其中，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，所述碱性溶液中碱的质量分数为5～10％，碱清洗的温度为60～80℃，清洗时间为3～6min；所述氢氟酸溶液的质量分数为3～8％，酸清洗的温度为25～35℃，清洗时间为3～5min。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碱清洗的温度为70-75℃。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述碱清洗之后，还包括：

在纯水槽中进行漂洗3～5min，所述漂洗的温度为30～50℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，在所述腐蚀和所述碱处理之间，以及所述碱处理和所述酸处理之间，还包括：对所述硅片进行水清洗，所述水清洗的温度为20-40℃，水清洗的时间为3-5min。

9.如权利要求1-8任一项所述的方法制得的单面制绒的金刚线切割多晶硅片。